Генератор трапецеидального напряжения

Генератор трапецеидального напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ 352384

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Са1аз Саеетскик

Сациелисти 1еских

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 21.Х.1970 (№ 1486506!26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.1Х.1912. Бюллетень М 28

Дата опубл11ковани11 описания >-1.Х.1972

М. Кл. Н 03k 4 26 камитет аа 11елем иеабретеиий и аткрытий при Саеете Мниистрае

СССР

УДК 621.373.43(088.8) Д

Автор изобретенпя

О. А. Гусев

?заявитель

ГЕНЕРАТОР ТРАПЕЦЕИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Изобретение относится к импульсной технике.

Известны схемы формирования импульсов тока трапецеидальной формы в электромагнитах импульсного действия. 5

Существенным недостатком подобных схем является значительная неравномерность вершины импульса, обусловленная или принципом действия искусственных формирующих линий с oсредото«енными параметрами, или 10 дискретностью подкл1очсния емкостей. Неравномерность вершины импульса тока в электромагнитах пр1гводит к ненужным колебаниям проходящего В рабочем зазоре пучка части и потерям частиц на стенках пу«1О- 15

П Р ОВОДОВ.

1Яелыо изобретения является уменьшение искажений выходного напряжения.

Указанная цель достигается тем, что катод управляемого переключающего элемента 20 подключен к индуктивной нагрузке, а ано:I, соединен с индуктивностью и анодом диода, катод которого через резистор подключен к точке соединения конденсатора с дополнительным источником питания. 25

На фиг. 1 изображена принципиальная схема устройства; на фиг. 2 — диаграммы токов и напря>кения в элементах схемы.

Предлагаемое устроиство состоит из емкостного накопителя 1, индуктивного накопи- 30 теля 2, регулируемых источников питания 8 и 4, сопротивлений 5 и б, управляемого тиристора 7 и диода 8. Электромагнит 9 выполнен в виде последовательно соединенных индуктиВ!lости и сопротиВлеHия.

До начала работы устройства емкостный накопитель 1 заряжатот or источника питания 4 через диод 8 и сопротивления 5 и б.

Индуктивный накопитель 2 заряжают от источника 8 через диод 8 и сопротивление 5.

С приходом командного синхроимпульса открывается тиристор 7, и накопцтель 1 через сопротивление 5 и диод 8 разряжается на электромагнит. 1,огда ток в электромагните 0 станет равным току B накопителе 2, ток, протекающий через диод 8, будет равен нулю, и диод запирается. Емкостный накопитель 1 продолжает разряжаться на электромапшт через индуктивный накопитель. Если индуктивность накопителя 2 намного больше индуктивности электромагни1а, то после закрытия диода 8 производная тока электромагнита резко уменьшится.

Можно подобрать параметры цепи (индх ктивность накопителя 2, сопротивление 5) таким образом, чтобы производная тока в точке перегиба имела нужную величину в зависимости от flocTBBленных целей. 11ацример, для получения плоской вершины импульса следует выбирать сопротивление 5