Способ резки пластин полупроводниковых материалов на кристаллы
Патент 352771
Классы МПК
Способ резки пластин полупроводниковых материалов на кристаллы
Иллюстрации
Реферат
Go!os Соеетскик
Социалистическик
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидст паства Х
Заявлено 19.Х.1970 (№ 1485094/29-33) с присоединением заявки Xo—
Приоритет
Опубликовано 29.1Х.1972. Бюллетень Х 29
Дата опубликования описания 4,Х.1972.Ч. Кл. В 28d 5/00
Комитет по делам изобретений и открытий
tI1tx Совете Министров
СССР
h ДК 679.89.002.2(088.8) Автор изобретения
I
Ф
1 !
В. С. Бутяев
Заявитель
СПОСОБ РЕЗКИ ПЛАСТИН
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА КРИСТАЛЛЫ
Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых материалов тина кремния, германия, а именно к резке пласт:и на кристаллы.
Известен способ резки пластин полупроводниковых материалов на кристаллы путем царапания их алмазными резцами. 0;1113Ко при таком способе резки пластины часто ломаюгся не в тех местах, где нанесены риски. Кроме того, геометрия самих кристаллов часго 10
le укладывается в конструктивные размеры.
Цель изобретения — улучшить качество резки и увеличить выход годных кристаллов.
Достигается это тем, что царапанис пластин алмазными резцами производят гдоль 15 следов энергетически слабы.; кристалчографи ческих плоскостей.
На фиг. 1 изображены следы пересечения с плоскостью (111) плоскостей, слабых в энср- 20 гQTH ICCKOilt отношении; I!3 фиг, 2 IIOK333!IO> как по трем естественным граням 1 роста иа lilжнем торце слитка находят наираьлснис плоскости (001), обозиачс IIIOe стрелкой 2, и местонахождение базового среза 8 относ:,1те lbно 25
3T0II cTpc;IKI!. Направление 1! Ioct ocTII (001) верхнем торце слитка будет противоположным.
Практичсски нахо>кдение эисргег !чсск!! слабых плоскостей и рсзка пластин на кр;!с- 50
ТЯЛЛЫ ВДО;I Ь ЭТ!1Х il IOCKOÑÒCII OCX ÙCСТВ Ч1!ЕТСЧ следующим образом.
По трем сстсственным криста !лографичесКНМ граням роста, обычно имевшихся !13 цилиндрической п«верхиости слитков, строигся равносторонний треугольник, стороны которого являюпся следами плоскостей (100) (010) (001) на плоскости (111). а исрпсндикуляры на стороны его дадут направление эгlx. пло костей.
Няп))ав 1с!!иc x K !13 3 èíûõ плос!,Остен, тяк же как и (111) (111) и (111), можно найти рентгенографическим методом.
Найденное по треугольнику одно из напра»лений, например плоскости (001), прогивополож ю направлению плоскости (111) на (ill) и след плоскости (111) параллелен следу (001) ll;l плоскости (111). Г10этоз!у на фиг, 2 вместо слс 13 плоскост;! (111) показан след (001) .
Параллельно стрс,!кс 2 (можно и псрпендии ЛЯ РИО) 113 И, 1ОСКОШЛИфОВЯЛ Ь110М CT3ÍХЕ 11PII вертикальной подаче 2,5 — 5 !1к, ио образуloщсй слитка делают базовый срез шириной не более радиуса слитка.
После рс3К11 сл иткoB 113 !I, 3c IOI! Iû, мех янической il дру!их г>илов обработки на фотолитографии будущие активные элсме ггы на
352771
Предмет изобретения
Фиа.2
Фиг.-1
Соеставнтель М. Моргунов
Техред Л. Евдонов Корректоры: Е, Талалаева и Л. Бадылама
Редактор Э. Шибаева
Заказ 3347/1 Изд. № I328 Тираж 406 Подписное
ПНИИПИ 1(омитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, $(-35, Раугнская наб., д, 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2 пластине ориентируются согласно базовому срезу.
При резке пластин па кристаллы пластины ставят на столик станка базовым срезом параллельно или перпендикулярно направлению хода алмазного резца.
Резка пластин на кристаллы, вырезанных вдоль плоскости (100) из слитка, выращенного в направлении (111), производится по чаправлениям, параллельным основным осям эллипсов пластин.
Способ резки пластин полупроводниковых материалов на кристаллы путем царапания их
5 алмазными резцами, orлпча ощпйся тем, что, с целью улучш"ння качества и увеличения выхода годных кристаллов, царапание пластин алмазными резцами производят вдоль следов энергетически слаоых кристаллографическпх
10 плоскостей,