Способ получения электрофотографических слоев

Способ получения электрофотографических слоев

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ 353918

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СО((тх Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидстсльсгва ¹

М. Кл. С(03@ 5/02

Заявлено 13.IV.1970 (№ 1422062/28-12) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.Х.1972. В!оллетснь Л: 30

Дата опубликования описания ЗО.Х.1972

Комитет по делам ааобретений и открытиЯ ври Совете Министров

СССР

УДК 772.93(085.S) Авторы изобретения Г. Б. Абдулаев, Н. М. Гальвидис, Я. И, Кириллов, А. В. Амосов, Г. H. Качинская и Г. В. Трушин

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к технологии изгото!3лсння селеновых электрофотографических слоев.

Известен способ изготовления селеновых электрофотографических слоев методом термического испарения в вакууме. В целях получения однородного бездефектного Слоя ь B;lкуумной системе поддерживается Вакуум t!орядка 1.10 — (— 1 ° 10 — тор. В этих условиях отсутствует . Гтроцесс диффузного напыления и, если подложка была предварительно от(аЗОВаи(1 Г!рогрсвом или иОИИОЙ бомбардироВ1:.011, то слои облау(а(от удовлетворительной одноРОДНОСТЬГО, 13 tttt. < OTCi) ТСТВУlOT i3tktl

Источником загрязнения напыляемого селсна является сам селен. В селене даже высокой чистоты (марки В-4, В-5) всегда растворено много газов В процессе испарения происходит выброс расплавленного селсна и образованис AtHI

30ГО СЛОЯ 130 ВР(М!I НаНЫЛСНИЯ, а Ti. М СBihtht ta ухудша)от однородность слоя. Увсличс(ш скорости напыления путем увеличения зерка

5 ла испарения нс может быть успешно примс нено из-за резкого увеличения тепловой ра диации.

Для увеличения скорости напыления селе новых элсктрофотографичсских сло B, умень

10 шенин времени напыления и 3!)сличения тем пературы нод110>кки для формирования боле однородных I! более светочувствительных се леновых элсктрофотографичсских слоев пре лагастся способ подготовки сслсна для напы15 ления методом термического испарения, заклю !Иющийся В предварительном обезгаживнии испарясмого сепена, с последук)щим мехническим уд!1 псниеа! посторонних частиц Et Ilplмесей.

20 Предлагается способ скоростного напылени при повышенных температурах подложк 1 и высокой температуре кондснсирующсго c,ttckl(1!301 0 электро )отографичсcl<01 0 cJIOH.

П р и м с р 1. Обсзгаживание иснарясмог )

25 сслена производится в вакууме сначала пр t температуре его плавления до полного прекр,щения газовыделения, затсм температур расплава повышается ступенчато вплоть д температуры выше температуры испарени

30 расплава для напыления селенового слоя. По353918

Предмет изобретения

СосТ 1BHTe7I Э. Почтари

Техрсд А. Камышникова

Редактор А. Бер

Корректор О. Волкова

Заказ 3592 !8 И-;д ге 482 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская иаб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2 лс выдержки расплава при этой температуре для прекращения газовыделения расплав охлаждается до комнатной температуры, затем в вакуумную систему впускается воздух, а подготовленный к напылению селен нагревается снова до температуры его плавления и с поверхности расплава удаляются посторонние частицы.

Охлажденный селен загружается в вакуумную установку и производится повторное обезf àæèâàíèå.

Пример 2. Обезгаживание заключается в быстром нагревании расплавленного селена до температуры выше температуры испарения селена при атмосферном давлении, а затем в ступенчатом уменьшении давления.

Для получения однородных в структурном отношении и высокочувствительных селеновых слоев следует повысить скорость напыления до 10 — 30 мкл /лшн., а температуру слоя в процессе напыления до 110 — 130 С и более при малом времени напыления (10 — 20 лин) .

Это способствует наибольшей полимеризации молекул селена при незначительном образовании кристаллической фазы. Селен марки «селен для выпрямителей» (чистотой 99,992%) апылялся со скоростью 12 — 13 лиса/лшн при

5 температуре подложки около 73 С, давлении остаточных газов около 1 10 — 4 тор и максимальной температуре слоя 110 †1 С, Слои изготавливают толщиной 100 — 120 л кл на стеклянных подложках толщиной 10 лале

10 с токопроводящим слоем из двуокиси олова.

15 Способ получения электрофотографических слоев путем термического испарения селена в вакууме, отличающийся тем, что, с целью увеличения светочувствительности, предельного потенциала, уменьшения темпового спада

20 и «усталости» слоя, селен обсзгаживают и напыляют со скоростью 10 — 50 лкл/мин при температуре селенового электрофотографического слоя 100 — 150 С.