Элемент интегральной микросхемы
Иллюстрации
Реферат
6.)-:::". ОП КСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
354768
Сак)з Саеетских
Социалистических
Респтблик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н 01l 9/00
Заявлено 31.Ч.1971 (№ 1661167/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Комитет по делом изобретений и открытий при Спеете Министрае
СССР
УДК 621 382 232(088 8) Опубликовано 25.Х111972. Бюллетень М 4 за 1973
Дата опубликования описания 16.II.1973
Автор изобретения
И. Я. Ходак
Заявитель
ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ
2 электриком, боковая поверхность которого значительно чище, чем поверхность подложки.
Применение подслоя диэлектрика под электродами и связанное с ним уменьшение тока
5 утечки позволяет увеличить стабильность, надежность и длительность работы, а также повторяемость параметров тонкопленочных планарных элементов. В качестве материала подслоя должны использоваться хорошие диэлек10 трики, например SiO.
Элемент интегральной микросхемы, напри15 мер планарный диод, состоящий из диэлектрической подложки, электродов и активного материала, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тока утечки, увеличения стабильности, под электродами по их форме располо20 жен подслой диэлектрика.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.
Цель изобретения — уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.
Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.
На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.
Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 8 и подслоя из диэлектрикака 4.
Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного по форме электродов, увеличивает длину пути поверхностного паразитного тока на удвоенную толщину подслоя диэлектрика АВ. Кроме того, в предлагаемой конструкции используется более чистый контакт между полупроводником и диПредмет изобретения
354768
Редактор Л. Мазуронок
Заказ 252/14 Изд. ¹ 1085 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2
Составитель А. Туляков
Техред Л, Богданова
Корректоры: Л. Царькова и 3. Тарасова