Патент ссср 355744

Патент ссср 355744

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со1оа Советскими

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 28.Х11.1970 (№ 1612334/26-9) М. Кл. Н 034 19, 08 с присоединением заявки № йомитет по делам

Приоритет

Опубликовано 16.Х,1972. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 16.XI.1972 изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.374(088.8) Авторы изобретения

К, А. Петросян, С. О. Мкртчян, С. Б. Шагоян, Р. М. Аруткутут и Р. A. Ширинян

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНОЙ ЛОГИ КИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к импульсной технике.

Известен элемент транзисторно-транзисторной логики, содержащий входной транзистор, проме>куточпый транзистор, соединенный коллектором и эмиттером соответственно с базами нагрузо 111010 и инвсртирующег0 транзисторов выходного каскада, дополнительный транзистор.

Цель изобретения — повышение быстродей- 10 ствия и помехоустойчивости устройства. Достигается она тем, что дополнительный транзистор предлагаемого элемента подключен коллектором через диод с накоплением заряда к базе инвертиру1ощсго транзистора, ба- 15 зой — через резистор к шине питания, а эмиттером — к эмиттеру входного транзистора и шине входного сигнала.

Иа черте>ке показана принципиальная схема уCTpOIICTIB3. 20

Элемент транзисторно-транзисторной логики содержит входной транзистор 1, промежуточный транзистор 2, пагрузочный транзистор >, инвсртирующий транзистор 4, дополнительный транзистор 5, диод 6 с накоплением за- 25 ряда.

В исходном со тоянии на входе схемы имеется высокий потенциал, Прп этом инвсртирующий транзистор 4 насыщен, а через диод 6 с накоплением заряда и прямом направлении протекает ток, и в области базы этого диода накоплены неосновпыс носители.

Когда на вход схемы подается низкий уровень, I Hog б замыкается накоротко, ll Icpc:> дополнительный транзистор 5 из базы 1швертпрующсго транзистора 4 в обратном направлении протекает большой импульсный ток, что обеспечивает ускоренное выключение инвертирующего транзистора.

Элем сIIT траHз 3CT0 9110-тI>31131ICTO p11011,>10 ãll ки, cogcp>1131!I,IIH входной транзистор, Ilpohlc>l ) T0ЧН1>1й TP3ll?11CTOP, C0C3,ИПЕПП1.1й КОЛ ICICI 0ром и эмиттером соотBcTcTBcllíî с базами пагрузочного и инвсртирующего транзисторов выходного каскада, дополо1птсльный транзистор, от,гича1ои1и11ся тем, что, с целью повышения быстродействия и помехоустойчивости, в нем доно,:шнтсльпый транзистор подключен коллектором через диод с акоплcllисм заряда к базе н транзистора, базой — через резистор к шпнс питания, а эмпттером — к эмиттеру входного тр31 зпстора и

ill lIIlc входного сигнала.

355744

Редактор Б. Федотов

Заказ 3684/12 Изд. № 1510 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, ®-35, Раушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель В. Клвкии

Техред А. Камышникова

Корректоры: Е. Сапунова и T. Гревцова