Раствор для нанесения покрытия из селенида цинка на диэлектрические материалы

Раствор для нанесения покрытия из селенида цинка на диэлектрические материалы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СОЮа COBBlCKlll

Социалистическил

Реслу0лив

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 23с 3/02

С 03с 17/06

Заявлено 21.1V.1971 (№ 1650804/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.Х,1972. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 25.1.1973

Комитет со делам изобретениК и открытиК дри Совете Министров

СССР

УДК 661.1.056.5.621.793.3.

: 661.85.558 (088.8) Авторы изобретения

Г. А. Китаев и Т. П. Соколова

Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им, С. М. Кирова

Заявитель

РАСТВОР ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ СЕЛЕНИДА

ЦИНКА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области радиотехники, Известны растворы для нанесения покрытия из селеннда цинка на диэлектрические материалы, содержащие соль цинка, например хлористый цинк, селеномочевину и ледяную уксусную кислоту.

В целях равномерного покрытия из селенида цинка в предлагаемый раствор введен гидразин-гидрат и исходные компоненты взяты в следующих соотношениях, моль(л:

Хлористый цинк 5. 10 — — 0,1

Селеномочевина 5 10 — — 0,1

Гидразин-гидрат 2,0 — 8,0

Ледяная уксусная кислота до рН 7 — 10

Последовательность операций по нанесению раствора на диэлектрические материалы рассматривается на примере нанесения раствора на стеклянную пластину. Предварительно пластину тщательно очищают от жировых и других загрязнений. Для этого ее поверхность протирают содовым тампоном и промывают водопроводной водой. Затем стеклянную пластину погружают на 10 — 20 мин в хромовую смесь (50 г К Сг20т на 1 л Н $04 уд. вес 1,84), от которой тщательно отмывают проточной водопроводной водой, затем бидистиллятом, и помещают в осадительную ванну, Для приготовления

100 мл реакционной смеси к 2,65 мл (1,89 м) хлористого цинка добавляют 19,5 мл гидразингидрата (20,5 м) и разбавляют водой. Доводят рН до 9,0 добавлением 7,5 мл ледяной уксус5 ной кислоты. Затем 0,61508 г селеномочевины растворяют в Воде, вливают в осадительный состав и погружают в него предварительно годготовленную стеклянную пластину. Из смеси указанного состава осаждаются пленки сео ленида цинка толщиной более 1000 А. Температура при нанесении покрытия поддерживается 10 — 70 С.

1. Раствор для нанесения покрытия из селенида цинка на диэлектрические материалы, содержащий соль цинка, например хлористый цинк, селеномочевину и ледяную уксусную

20 кислоту, отличающийся тем, что, с целью равномерного покрыгия из селенида цинка, в раствор введен гидразин-гидрат.

2. Раствор по п. 1, отличающийся тем, что исходные компоненты взяты в следующих со25 отношениях,.моль, л:

Хлористый цинк 5 10З вЂ” 0,1

Селеномочевина 5 10 — — 0,1

Гидр азин-гидрат 2,0 — 8,0

Ледяная уксусная

30 кислота до рН 7 — 10