Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения

Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

357634

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 17.1V.1971 (№ 1647594!26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано ЗI.X.1972. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 29.XI. 1972

М. Кл. Н 01р 3:20

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.372.43(088.8) Авторы изобретения

Ю. Г. Альтшулер, Л, И, Кац и P. М. Ревзин

Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области радиотехники субмиллиметрового диапазона, а именно к устройствам, позволяющим менять амплитуду, фазу и поляризацию, Известные устройства для управления параметрами электромагнитного излучения, состоящие из двух квазиоптических волповодов, имеющих общу1о стенку, в отверстие которой помещена полупроводьчтковая пластина, и управляющего магнита, имеют большие габариты.

В предлагаемом устройстве, с целью уменьшения габаритов, в каждом из волноводов в области расположения полупроводниковой пластины установлены отражающие зеркала под углом 45 к оси волновода таким образом, что направление внешнего магнитного поля совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника.

На чертеже представлена конструктивная схема предлагаемого устройства.

Электромагнитные колебания субмиллиметрового диапазона возбуждаются в квазиоптическом волноводе 1. Падающее па зеркало 2 излучение направляется на полупроводниковую пластину 3 (поскольку в волноводе повышенного сечения распространяется плоская волна, то зеркало изменяет направление распространения на 90 ), 2

Таким образом, направление распространения волны совпадает с направлением магнитного поля электромагнита 4. Вследствие происходящих в полупроводниковой пластине 3

5 магнитоплазменных эффектов, т. е. зависимости параметров распространения волны от величины приложенного магнитного поля, электромагнитное излучение, прошедшее через полупроводникову1о пластину 3, характери10 зуется изменеьн1ем амплитуды, фазы и угла поляризации.

Конкретное изменение того или иного параметра определяется соотношением между параметрами полупроводниковой пластины 3 и

15 величин..й магн11тного поля.

Зеркало 5 еще раз изменяет направление излучения, прошедшего через полупроводниковую пластину 3, на 90, и излучение распространяется через волновод б в виде пло20 ской электромагнитной волны.

Предмет изобретения

25 Устройство для управленн1я параметрами электромагнитного излучения, состоящее из двух квазиоптических волноводов, имеющих общую стенку, в отверстие которой помещена полупроводниковая пластина, и управляюще30 ro магнита, отличающееся тем, что, с целью

357634

Составитель Ю. Еркин

Текред Л. Богданова

Корректор 3. Тарасова

Редактор А. Батыгин

Заказ 3846l16 Изд. № 1624 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 уменьшения габаритов, в каждом из волноводов в области расположения полупроводниковой пластины установлены отражающие зеркала под углом 45 к оси волновода таким образом, что направление внешнего магнитного поля совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника.