Всесоюзная i

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 358735

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 20Л11.1971 (№ 1636650/24-7) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х1.1972. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 25.1.1973

М. Кл. Н 01h 11 04

Н 0111 47/00

Н 0lh 1 66

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете йтииистров

СССР

УДК 621.318.56(088 8) ВСЕСОЫЗНАЯ

МБПИ-Е ; н ". ;ЕМ

БИБЛИО": =."

Авторы изобретения

Г. М. Корсунский, О. В. Хомицкий и В. А. Михайлов

Заявитель

СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ КОНТАКТИРОВАНИЯ

КОММУТИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Предмет изобретения

Предлагаемое изобретение относится к способам повышения надежности контактирования коммутирующих устройств и может применяться в электроаппаратостроении и радиоэлектронной промышленности.

При коммутацни слабых напряжений и токов надежность контактирования уменьшается вследствие следующих причин: образования непроводящнх пленок на поверхности контактов, попадания частиц пыли на эту поверхность и т. д.

Известен способ повышения надежности контактирования .путем фриттирования межконтактного зазора. Однако этот способ требует поддержания большой напряженности поля фриттинга.

Предлагается способ повышения надежности контакъирования путем фриттирования непроводящего слоя, при котором контакты коммутирующего устройства помещают во внешнее магнитное поле, продольное,по отношению к току,,протекающему через межконтактный зазор.

При этом происходит сближение силовых линий тока, что приводит к усилению локаль5 ной плотности тока и ускорению пробоя пленк и. Внешнее переменное магнитное поле вызывает закручивание токового шнура, что способствует интенсификации поля фриттинга.

Способ, повышения надежности контактирования коммутирующих устройств путем фрит15 тнрования непроводящего слоя межконтакт ного зазора, отличающийся тем, что, с целью сии>кения напряженности поля фриттинга и ускорения пробоя непроводящих пленок, контакты помещают во внешнее магнитное поле, 20 продольное по отношению,к току, протекающему через межконтактный зазор.