Библиотека 1
Иллюстрации
Реферат
358963
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬРЕтЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М, Кл. G 01п 19/08
G 01п 27/60
Заявлено 26.Х.1970 (№ 1487603/26-25) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 05.1V.1973. Бюллетень ¹ 17
Дата опубликования описания 26Лг1.1973
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 549.1:548.523 (088.8) Автор изобретения
Л. С. Захаров
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ
НАПРАВЛЕНИЙ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПРОВОДЯЩИХ
И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ
Предмет изобретения
Изобретение относится к способам контроля монокристаллических материалов, в частности полупроводниковых.
Известные способы определения кристаллографических направлений в монокристаллах с помощью рентгеновских измерений или путем осаждения на гранях изучаемого монокристалла микрокристаллов какого-либо вещества, которые ориентируются по кристаллографическим осям монокристалла, длительны и трудоемки. Кроме того, для их осуществления требуется сложное оборудование.
Предлагаемым способом можно быстро и просто без использования сложного оборудования определить направления кристаллографических осей с фиксацией их на поверхности изучаемого проводящего или полупроводникового монокристалла.
Этот способ заключается в том, что на некотором расстоянии от полированной поверхности образца устанавливают электрод. Через образованный таким образом промежуток осуществляют электрический разряд небольшой емкости через сопротивление. При этом ооразец является катодом.
После пробоя на полированной поверхности образца остаются следы катодных пятен в виде прямых лишш, opIMHTHpOBBHHbIx определенным образом по отношению к крнсталлографпческим направлениям монокрнсталла.
Длительность разряда можно примерно оце5 нить по формуле t = RC, где R — величина сопротивления, С вЂ” емкость конденсатора.
За время t = 10 лгксек катодные пятна проходят расстояние, измеряемое миллиметрами.
В одном монокристалле следы катодных пя10 тсн ориентированы одинаково, если получаются на одной и той же плоскости.
15 Способ определения кристаллографцческпх направлений в монокристаллцческих проводящих и полупроводниковых материалах, от.ггг(гагогггийс.г тем, что, с целью непосредстленной фиксаци г на пове1-.хностн ооразца на2Q правлений крцсталлографцческих осей, образец полируют, над полированной поверхностьго устанавливают электрод, подают напряжение на электрод и образце, ц, осуществляя электрический разряд между ними, опреде25 ляют крцсталлографическпе направления по прямолинейным п ориентированным следам катодных пятен.