Всесоюзная
Патент 361157
Авторы
Классы МПК
Всесоюзная
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 36П57
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Содиалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 31.VIII.1970 (№ 1472308/29-33) с присоединением заявки №
Приоритет
М. Кл. С 04Ь 35, 10
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 666.764.3(088.8) Опубликовано 07.XII.1972. Бюллетень № 1 за 1973.
Дата опубликования описания 2.11.1973
Авторы изобретения
ВС1.:СОЮЭНА хт
ВМЕНИТ БЮ.ПХВФче;.Q
БИБДИ07сКА
Э. И, Пузырев и H. В. Псевнюк
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ
Предмет изобретения
Изобретение относится к керамической промышленности.
Известен способ изготовления керамических изделий путем приготовления шихты на основе А1203 и стеклянного порошка, формования заготовок с последующим их обжигом.
Целью изобретения является повышение механической прочности изделий.
Это достигается тем, что используют стекло с коэффициентом термического расширения менее 4.10 1/ С.
Способ осуществляют следующим образом.
Сначала варят стекло с коэффициентом термического расширения менее 4 10 1/ С, (3,5 10 — 1/ С), например следующего состава (в вес. %): Й02 58,8, А1аОз 25,5, Са0 7,6 и
MgO 8,1.
Затем стекло измельчают до удельной поверхности 3000 — 4000 г/сии и вводят в А1аОз в количестве 4 — 6 вес. %. Из приготовленной шихты формуют заготовки, которые затем обжигают при 1550 — 1600 С в газовой атмосфере.
В процессе спекания материала стекловидная фаза еще более обогащается глиноземом, растворяя в себе дополнительно-9 /о А40з, что приводит к дальнейшему снижению коэффициента термического расширения стекла (до значения порядка 3,1 10 — 1/ С).
Полученные изделия имеют среднее значе10 ние механической прочности 5100 кгс/сит .
Способ изготовления керамических изделий
15 путем приготовления шихты на основе А120 и стеклянного порошка, формования заготовок с последующим их обжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности, используют стекло с коэффициен20 том термического расширения менее 4 10 —
1/ С.