Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами

Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

C0I63 Советскиг

Сециалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 289450

Заявлено 14.VI.1971 (¹ 1669062/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

M. Кл. Н Olg 1/00

Н 01с 13/00

Комитет по делам иаобретеннй и открмткр прн Совете Минкст-, со

СССР

УДК 621,319.4(088.8) Опубликовано 07.XII.1972. Бюллетень № 1 за 1973

Дата опубликования описания 06.1.1973

Авторы изобретения

В. Д. Дмитриев и А. И. Меркулов

Заявитель

Куйбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева

RC-СТРУКТУРА С НЕОДНОРОДНЫМИ

РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в RC-генераторах, фильтрах низкой частоты, частотно-избирательных RC-фильтрах и т. д. в микроэлектронном исполнении.

По основному авт. св. № 289450 известна

RC-структура с неоднородными параметрами.

Крутизна частотных характеристик известной RC-структуры недостаточно высокая, так как вдоль длины RC-структуры неоднородным параметром является только распределенная емкость.

С целью увеличения крутизны частотных характеристик, па резистивпый слой RC-структуры нанесена укороченная резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической пленки, расположенной пад ней.

На чертеже изображена схема RC-структуры.

RC-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 8, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 8.

Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора RC-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик RC-структуры.

5 Крутизна частотных характеристик предлагаемой RC-структуры зависит от длины слоя 1, пленок 2, 4 и пленок 8, 5, 6, от соотношения удельных емкостей, образуемых слоем 1 и пленкой 2 и пленками 5, б, и от соотношения

10 относительных удельных сопротивлений резистивпой пленки в зоне и вне зоны перекрытия.

Напыление дополнительной резистивной пленки б (толщиной не более единиц микрон) значительно улучц ает крутизну частотных хаб5 1татсTep tcTHt< RC-струт т рьi npn Te ie ra6ap»raw.

20 Предмет изобретения

КС-структура с неоднородными распределенными параметрами по авт. св. № 289450, отличающаяся тем, что, с целью увеличения кру25 тизны ее частотных характеристик, на резистивпый слой RC- структуры нанесена укороченная резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической

ЗО пленки, расположенной над ней.

361474 дыхад

Вха

Составитель М. Порфирова

Редактор В. Фельдман Техред Л. Евдонов Корректоры Е, Талалаева и 3, Тарасова

Заказ 939 Изд.,"а 9 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, >К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография Мз 24 Союзполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса — Энгельса, 14