Суспензия для изготовления покрытий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сома Соввтскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 3,1 V.1971 (№ 1666842/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

М. Кл. Н Olt 3/20

Н Olj 29/20

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете йтинистров

СССР

Опубликовано 07.Xll.1972. Бюллетень № 1 за 1973

Дата опубликования описания 1.111.1973

УДК 621„382.002 (088.8) Авторы изобретения

В. Д. Кравцов, Б. С. Осипов, И. С, Лавров и О. М. Меркушев

Ленинградский технологический институт им. Ленсовета

Заявитель

СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

Изобретение может быть использовано для получения из грубых дисперсий полупроводников типа А"В электролюминесцентных панелей, фотосопротивлений, экранов электроннолучевых трубок и т. д.

Существующие суспензии из полупроводников отличаются низкой агрегатной и кинетической устойчивостью, вследствие чего получаемые из них покрытия имеют значительный разброс по толщине и плотности (10 — 15 ).

Целью изооретения является разработка суспензий типа А"B с высокой агрегатной и кинетической устойчивостью, применимых для электрофореза, позволяющего получать покрытия с низким разбросом по толщине и плотности (3 — 5%).

Исследования показали, что повышение кинетической устойчивости за счет применения в качестве дисперсионной среды жидкостей с высокой вязкостью или растворов высокомолекулярных веществ не приводит к положительным результатам из-за низкой электрофоретической подвижности частиц в такой среде.

Увеличение кинетической устойчивости суспензий за счет измельчения частиц не всегда допустимо, так как в ряде случаев при этом резко ухудшаются некоторые параметры изделий (например, дробление электролюминофора приводит к уменьшению светового выхода в 3 — 5 раз).

Поставленная цель достигается путем стабилизации частиц суспензий полупроводников частицами термодинамически устойчивой латексной системы, применяемой в качестве дис5 персионной среды. Мелкодисперсные частицы латекса адсорбируются на более крупных частицах полупроводника и образуют защитную оболочку, которая препятствует сближению частиц на расстояния, на которых преоблада10 ют силы молекулярного притяжения, предотвращая таким образом агрегацию. Кроме того, адсорбция частиц латекса приводит к образованию мицелл с пониженной эффективной плотностью, при этом увеличивается кинетиче15 ская устойчивость суспензий.

В предложенной суспензии применяется латексная система поливинилбутираля (ПВБ) в ацетоне, получаемая путем растворения ПВБ

B бутаноле и диспергирования раствора в аце.

20 тоне. Компоненты берут в следующем соотношении (в вес. ч.):

5с/о-ный раствор ПВБ в бутаноле 0,5 — 5

Ацетон 80 — 96

Полупроводниковое соединение

25 типа А"В 3 — 15

Известно, что ПВБ применяется в виде истинного раствора в спиртах при электрофорезе, а в ацетоне ПВБ может только набухать.

30 В случае суспензий с дисперсной фазой их

3 61486

Составитель М. Сорокина

Техред Т. Миронова

Корректоры: О. Тюрина и Е. Сапунова

Редактор Т. Орловская

Заказ- 394/10. Изд. М 32- Тира к 404 Подписное

ЦНИИПИ. Комитета по делам изобретений и открьиий при:Совете Министров:.СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типотр афия, пр, Сапунова, 2

3 соединений типа А"В и дисперсионной сре.дой из этанола, бутанола, изоамилового спирта, содержащей растворенный ПВБ; образова:ние покрытий не |происходит.

Экспериментальные данные для. электролюминофоров ЭЛ-510 и ЭЛ-515 показывают, что при использовании в качестве дисперсионной среды латекса адсорбция его частиц на частицах полупроводника составляет 0,001 гПВБ/1. г фосфора В этом случае 50 — 70% поверхности частиц фосфора покрыто частицами латекса.

Был приготовлен ряд суспензий с дисперсионной средой из латекса ПВБ в ацетоне и диспероной фазой из электролюминофоров:

ZnS. Cu, ZnS Cu Аl; ZnS - Cu Ìn; (Zn;

Cd) (S Se) Cu и фотополупроводники: CdS, CdSe. Из таких суспензий были получены плотные,, однородные покрытия толщиною 10 мк и: выше.

Предмет изобретения

Суспензия- для- изготовления покрытий, содержащая полупроводйиковое соединение типа, А"В и стабилизатор; отличающаяся тем, что, с целью повышения:кинетической и; агрегатной. устойчивости, в- качестве стаби1р лизатора использована латексная система поливинилбутираля в смесй ацетона. с бутанолом, а компоненты взяты в следующем соотношении (в вес. ч.):

5% -ный раствор: поЛивинилбутираля в бутаноле 05 — 5

Ацетон 80=96

Полупроводниковое соединение типа АпВ:Ут 3 — 15