Способ металлизации диэлектрика

Способ металлизации диэлектрика

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

362070

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 2,3b 5/64

Н 05k 3/00

Заявлено 02.II I.1971 (№ 1630571!26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621 396 6 049.75 (088.8) Опубликовано 1,3.XI1.1972. Бюллетень № 2 за 1973

Дата опубликования описания 27.II.1973

Авторы изобретения

А. Ф. Супицкий, В. H. Швеикин и В. А. Панов

Заявитель

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКА

Изобретение относится к радиоэлектронике и приборостроению.

Известен способ металлизации диэлектрика, основанный на химическом осаждении металла, например меди, из раствора его комплексных солей, с прсдварительной вакуумной обработкой поверхности диэлектрика. Применение такого способа значительно снижает адгезию металла к диэлектрику и увеличивает пористость покрытия.

В целях повышения адгезии металла к диэлектрику и получения беспористого покрытия процесс металлизации по предлагаемому способу проводят в вакуумной камере при остаточном давлении 70 — 10 млт рт. ст.

Пример. Ванну с раствором химического .меднения, например, следующего состава, г/л:

CuSO4 5Н О 30

NiSO4 ° 7H O 4

Ма2СОз. 10НеО 30

NaOH 40

KNaC4Í4O6 4Н20 170, а также

С2НвОН 10 лтл/л

НСОН (33%) . 20 лтл/л помещают в вакуумную камеру.

Диэлектрик, например плату печатного монтажа с просверленными отверстиями под металлизацию, предварительно обработанный в растворах сенснбплизацпп и активации, поме5 щают в вакуумную камеру на подвижную штангу. В камере создают вакуум порядка

70 — 10 лтм рт. ст.

После трндцатимннутного обезгаживания плата прн помощи подвижной штанги погру10 ж а ется в р аство р м еднен и я.

Процесс ведется при легком покачивании платы.

Применение данного способа позволяет получить плотный осадок и повысить адгезию

15 меди к диэлектрику до 60 кг/см - и более.

Предмет изобретения

Способ металлизации диэлектрика, основанный на химическом осаждении металла, на20 пример меди, из раствора его ком плексных солей, с предварительной вакуумной обработкой поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии металла к диэлектрику и получения беспористого по25 крытия, процесс металлизации проводят в вакуумной камере при остаточном давлении 70—

10 мм рт. ст.