Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства

Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ис ссю„-. дч

Ф 1(тявт) у . е .

О П И а)Г Й и Е

362350

Соаа Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.1 V.1971 (№ 1646527/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

М. Кл. G 11с 11,/26

Комитет по делам ивобретеиий и открытиЯ при Совете Министров

СССР

Опубликовано 13.Xll.1972. Бюллетень № 2 ! за 1973

Дата опубликования описания 8.II.1973

УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения

В. Ф. Басалыга

Заявитель

ГАЗОРАЗРЯДНАЯ МАТРИЦА ДЛЯ ПОЛУПОСТОЯННОГО

ЗАПОМИ НА1ОЩЕГО УСТРОЙСТВА

Предлагаемое изобретение относится к области электроники и вычислительной техники и может быть использовано для построения накопителей полупостоянных запоминающих устройств (ЗУ), программируемых светом.

Известны полупостоянпые ЗУ, накопители которых построены на запоминающих ячейках, состоящих из диода тлеющего разряда и резистора.

Основным недостатком известных запоминающих устройств является низкая надежность работы.

Предлагаемая газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства содержит керамическую пластину-основание с впаянными в нее рядами электродов, вдоль которых расположены диэлектрические полоски с металлизированными поверхностями

8. Каждый из дополнительных вводов, впаянных в пластину-основание на концах диэлектрических полосок, соединен с металлизированной поверхностью одной полоски. Лицевая стеклянная пластина и рамка соединены с пластиной-основанием. Кроме того, с целью улучшения оптических свойств лицевая пластина газоразрядной матрицы полупостоянного ЗУ может быть выполнена из светочувствительного темноокрашенного стекла, имеющего два прозрачных окна на каждую ячейку.

На фиг. 1 приведен схематический вид газоразрядной матрицы; на фиг. 2 — упрощенная принципиальная электрическая схема накопителя полупостоянного ЗУ.

Матрица содержит пластину-основание 1, в которую впаяны электроды 2. Пластина-основание может быть изготовлена из стекла, керамики, светочувствительного стекла или фотоситала. Вдоль электродов 2 на пластине10 основании 1 установлены диэлектрические полоски 8, имеющие на двух сторонах металлизированные поверхности 4, не контактирующие друг с другом.

Диэлектрические полоски 8 с металлизиро1s ванными поверхностями 4 установлены на пластине-основании так, что электроды 2 расположены симметрично в промежутках между ними. У концов установленных на пластинуоснование 1 диэлектрических полосок 8 в пла20 стину-основание впаяны дополнительные вводы 5. Каждый ввод приваривается к металлизированной поверхности 4 одной стороны одной диэлектрической полоски. Лицевая стеклянная пластина б спаяна по периметру с пла25 стиной-основанием 1 посредством рамки 7 (лицевая пластина при этом плотно прилегает к диэлектрическим полоскам 8).

Запоминающая ячейка матрицы состоит из электрода 2, являющегося, например, анодом, 30 диода тлеющего разряда и двух металлизи362350

50 рованных поверхностей, являющихся, например, катодами диодов тлеющего разряда, расположенных по обе стороны от электрода 2.

7i àê как в цепи ячейки имеется резистор для ограничения тока, то тлеющий разряд не может быть одновременно на обоих диодах одной запоминающей ячейки ввиду того, что при зажигании разряда на одной половине ячейки напряжение на электроде 2 падает до величины, меньше той, которая требуется для зажигания разряда на второй половине ячейки.

С целью записи информации лицевая пластина б закрывается светотрафаретом, который представляет собой фотопленку или перфокарту, и освещается лампой-вспышкой. В зависимости от положения окна на светотрафарете освещается участок металлизированной поверхности по одну или другую сторону от электрода 2 в каждой запоминающей ячейке накопителя. Под влиянием интенсивного освещения металлизированная поверхность, находящаяся под окнами светотрафарета, испускает электроны, которые, вызывая ионизацию газа, возбуждают тлеющий разряд, несмотря на то, что напряжение смещения, подаваемое на диоды, ниже их напряжения зажигания.

Поскольку все ячейки разделены друг от друга диэлектрическими полосками 8, то влияние ячеек друг на друга через освещение окна светотрафарета отсутствует. В газоразрядной матрице могут быть использованы и другие формы индивидуальных электродов и не сплошная прозрачная пластина б, а пластина, выполненная из светочувствительного темноокрашенного стекла с двумя прозрачными окнами на каждую ячейку (остальной материал пластины в этом случае должен иметь намного менее прозрачную структуру). При такой конструкции лицевой пластины устраняется опасность засветки участков, расположенных рядом с выбранной запоминающей ячейкой, через толщу прозрачного материала.

Верхние металлизированные поверхности 8 подключены непосредственно к источнику смещения 9, а нижние металлизированные поверхности 10 к источнику смещения 9 через электронный переключатель 11.

Предположим, что если в запоминающей ячейке тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и верхней металлизированной поверхностью 8, то это равносильно тому, что в запоминающую ячейку записан код «О», если тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и нижней металлизировапной поверхностью, то в запоминающей ячейке находится код «1». При выборке определенного слова в накопителе соответствующая нижняя металлизированная поверхность 10 подключается к шине18 нулевого потенциала на 50 — 200 и!сек.

Подключение одной из выбранных нижних металлизированных поверхностей 10 на время, не превышающее 1 мк/сек, к шине нулевого потенциала, не ведет к выключению тлеющего разряда и, следовательно, к стиранию информации в запоминающих ячейках, хранящих код «1» по этому адресу, так как для этого необходимо время около 100 лк/сек. При выборке определенного слова в режиме считывания в результате закорачивания одной из шин

14 на шину 18 ячейки, хранящие код «1», изменяют ток в шинах 14 на величину, равную их статическому току, что фиксируется нагрузочными резисторами 15, которые другими контактами подключены к шине нулевого потенциала 1б.

Предмет изобретения

1. Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства, содержащая запоминающие ячейки, представляющие собой последовательное соединение диода тлеющего разряда и резистора, связанные адресными и разрядными шинами, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности, она содержит керамическую пластину-основание с впаянными в нее рядами электродов, вдоль которых расположены диэлектрические полоски с металлизированпыми поверхностями; дополнительные вводы, впаянные в пластину-основание на концах диэлектрических полосок, каждый из которых соединен с металлизированной поверхностью одной полоски, и лицевую стеклянную пластину и рамку, соединенные с пластиной-основанием.

2. Матрица по пункту 1, отличающаяся тем, что, с целью улучшения оптических свойств, лицевая пластина выполнена из светочувствительного темноокрашенного стекла с двумя прозрачными окнами на каждую ячейку.