Пат?ш'ш-[1хсг'е^:чдп

Пат?ш'ш-[1хсг'е^:чдп

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

362487

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ОЗ.Ч.!971 (№ 1651182/26-9) с присоединением заявки № 1659314/26-9

Приоритет

Ч. Кл. Н 03k 19 32

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 13.XII.1972. Бюллетень № 2 за 1973

Дата опубликования описания 9.II.1973

УДК 621.374(088.8) Автор изобретения

В. E. Мельник

3QГCQ13:НАЯ

Заявитель

Таганрогский радиотехнический институт

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «ИЛИ вЂ” НЕ»

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть применено в цифровых вычислительных машинах.

Известны логические элементы «ИЛИ—

IE», содержащие диод с накоплением заряда, 5 соединенный через первый разделительный диод с выходом и — входовой диодной сборки, дискриминатор на туннельном диоде, подключенный через второй разделительный диод к триггеру на туннельном диоде и к базе выход-. 10 ного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором.

Однако известные логические элементы обладают недостаточной помехозащищенностью и надежностью в работе. 15

С целью повышения помехозащищенности и надежности работы предлагаемый логический элемент «ИЛИ вЂ” НЕ» содержит дополнительный диод и два транзистора, первый из которых соединен своим коллектором с выходом 20 диодной сборки, эмиттером — через резистор с шиной питания, а базой — через резистор с шиной тактового напряжения и через туннельный диод — с шиной питания; второй транзистор, включенный по схеме с общим коллек- 25 тором, соединен своим эмиттером через резистор с триггером, а базой — с шиной сброса, а дополнительный диод включен между первым разделительным диодом и дискриминатором на туннельном диоде. 30

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого логического элемента.

Предлагаемый логический элемент «ИЛИ—

НЕ» содержит транзистор 1, резисторы 2 и 8, туннельный диод 4, транзистор 5, резистор 6, входные клеммы 7 — 9, входные диоды 10 — 12, диоды 18 — 15, туннельный диод 16, диод 17, туннельный диод 18, резисторы 19 и 20 и транзистор 21.

Резисторы 8 и б, туннельный диод 4 и транзистор 5 образуют управляемый источник тока. Диоды 10 — 12 представляют собой схему диодной сборки.

Туннельный диод 16 является токовым дискриминатором, туннельный диод 18, транзистор 21 и резисторы 19 и 20 образуют бистабильный туннельно-транзисторный триггер.

Предлагаемый логический элемент «ИЛИ—

НЕ» работает следующим образом.

В начале каждого такта на базу транзистора 1 поступает положительный импульс сброса. Эмиттерный ток этого транзистора через резистор 2 устанавливает триггер в нулевое (низковольтное) состояние.

С приходом положительной полуволны синхронизирующей синусоиды (по достижению примерно -/з амплитуды) ток через резистор

8 нарастает до величины, достаточной для переключения туннельного диода 4 в высоко-, вольтное состояние, что приводит к отпиранию

362487

Составитель С. Вольиова

Техред Е. Борисова

Корректоры: И. Божко и Н. Стельмах

Редактор T. Морозова

Заказ 244/14 Изд. № 1035 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 транзистора 5 н протеканию через него тока

1i, определяемого перепадом напряжений на диоде 4 и величиной резистора б. Если в этом (первом) полутакте на клеммы 7 — 9 приходят нулевые сигналы, то диоды 10 — 12 закрыты и ток I> протекает через диоды 18 и 14, в базе последнего в течение полутакта накапливается заряд неравновесных носителей.

С приходом отрицательной полуволны синхронизирующей синусоиды (по достижению примерно в/3 амплитуды) ток через резистор 8 уменьшается до величины, достаточной для переключения диода 4 в низковольтное состояние, что приводит к запиранию транзистора 5, в результате чего прекращается протекание тока Ii через диод 14. Отрицательпый импульс установки, поступающий с формирователя, рассасывая накопленный заряд, вызывает протекание через диод 14 короткого импульса большого обратного тока 1,пр. Быстродействующий диод 18 запирается, а ток Iобр через диод 15 в значительной мере превышает величину пикового тока диода 1б, который переключается в высоковольтное состояние. Практически весь ток 1,пр через диод 17 поступает на триггер, устанавливая его в единичное состояние. На выходе схемы появляется большое отрицательное напряжение. В этом положении триггер находится в течение второго полутакта и в «нуль» переключается очередным импульсом сброса, поступающим на базу транзистора 1.

Если в первом полутакте хотя бы на одной из клемм 7 — 9 присутствует единичный сигнал (положительное напряжение), то ток 1, формируемый управляемым источником, оттекает через соответствующий входной диод, а диоды 18, 14 оказываются закрытыми, в результате на базе диода 14 не накапливается заряд неравновесных носителей. Приходящий на диод 14 в начале второго полутакта отрицательный импульс установки вызывает протекание через него сравнительно небольшого тока

5 помехи, обусловленного зарядом емкости перехода. Величина этого тока недостаточна для переключения дискриминатора в высоковольтное состояние. Туннельный диод 18 остается в нулевом состоянии. Одновременно с поступле10 нием импульса установки происходит сброс в

«нуль» предыдущей схемы и закрывание управляемого источника тока, что предотвращает накопление заряда помехи во втором полутакте.

Предмет изобретения

Логический элемент «ИЛИ вЂ” НЕ», содержащий диод с накоплением заряда, соединенный через первый разделительный диод с вы20 ходом п — входовой диодной сборки, дискриминатор на туннельном диоде, подключенный через второй разделительный диод к триггеру на туннельном диоде и к базе выходного транзистора, включенного по схеме с общим кол25 лектором, отличающийся тем, что, с целью повышения помехозащищенности и надежности работы элемента, он содержит дополнительный диод и два транзистора, первый из которых соединен своим коллектором с выхо30 дом диодной сборки, эмиттером — через резистор с шиной питания, а базой — через резистор с шиной тактового напряжения и через туннельный диод с шиной питания; второй транзистор, включенный по схеме с общим

35 коллектором, соединен своим эмиттером через резистор с триггером, а базой — с шиной сброса, а дополнительный диод включен между первым разделительным диодом и дискриминатором на туннельном диоде,