Способ измерения компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса dzd

Способ измерения компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса dzd

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

363021

О Л И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27 )Ч.1971 (№ 1650413i26-25) М. Кл. 6 Oln 21/40 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам

УДК 622.412 3(088.8) изобретений н открытий при Совете 1т)нннстров

СССР

Опубликовано 20.XI1.1972. Бюллетень ¹ 3 за 1973

Дата опубликования описания 7.II.1973

Авторы изобретения

М. П. Лисица и И. В. Фекешгази

Институт полупроводников АН Украинской ССР

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОМПОНЕНТ ТЕНЗОРА НЕЛИНЕИНОЙ

ПОЛЯРИЗУЕМОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КЛАССА Оф 36 / С(14.

Изобретение относится к способам определения компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса Dsd тетрагональной сингонии и может быть использовано в промышленной квантовой электронике, в частности для получения данных о нелинейных свойствах материалов, используемых в качестве рабочих тел в параметрических генераторах, модуляторах света и преобразователях его частоты.

Известный способ определения компонент нелинейной поляризуемости этих материалов позволяет измерить только одну компоненту нелинейной поляризуемости д66.

По предлагаемому способу измерения компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса Dsd, с целью одновременного измерения абсолютных и относительных значений последних, измеряют зависимость интенсивности излучения второй гармоники, возникающей в плоскопараллельном образце, вырезанном параллельно кристаллографической оси Х, от угла а между плоскостью колебания электрического вектора и плоскостью, проходящей через оптическую ось кристалла и нормаль к образцу. Затем по величине интенсивности при а = 0 определяют абсолютное значение d>4, а по отношению интенсивностей при а = 0 и а = — относительное значение

На фиг. 1 показано прохождение лазерной волны через образец; на фиг. 2 приведена зависимость интенсивности излучения второй гармоники от угла а.

s Измеряемая зависимость выражается формулой:

1(2в) = 4 —. 1з(а) (() ()) siï 28+ с (и (2о) — n ())

10 (d 4cos й+ $1п 2х, (1) где 1(от) и 1(2а) — интенсивности излучения основной частоты и второй гармоники соответственно;

15 / — толщина образца; а (от) и и (ао) — его показатели преломления на упомянутых частотах;

0 — угол между оптической осью кристалла и нормалью к образцу.

20 Образец вырезают из монокристалла таким образом, чтобы нормаль к его поверхности при любом значении 0 была всегда перпендикулярна кристаллографической оси Х (см. фиг. 1). Абсолютное значение компонен25 ты нелинейной поляризуемости с(т4 находят из измерения 1(2то) при сс = 0 и вычисляют из соотношения:

fсо

st ni — (л(2,о) тт(<о))

I, 0(20 )=44-, 1 (а)з)п 28 d 4. (2) с (л (2 „) — n (о)),36 3 021

I ñ (2<@) 4

А о (2оз) Юив.1

Составитель С. Соколова ск (град) Фиг.2

Типография, пр. Сапунова, 2

Отношение компонент дзе/d>< определяют из выражений

+ ""+ ", (3) и/или Г ::: (:::) ) Предмет изобретения

Способ измерения компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса D d, отличающийся тем, что, с целью одновременного измерения абсолютных и относительных значений указанных компонент, измеряют интенсивность излучения второй гармоники при известном и постоянном значении

5 интенсивности основного излучения, возникающей в плоско-параллельном образце, вырезанном параллельно кристаллической оси

Х от угла а между плоскостью колебаний электрического вектора и плоскостью, прохо10 дящей через оптическую ось кристалла и нормаль к образцу, затем по величине интенсивности при а=О определяют абсолютное значение d 4, а по отношению интенсивностей б

15 при а=О и а= — определяют относительное

4 значение йзе/с(14

Редактор А. Батыгин Техред Т. Миронова

Корректоры: Н. Прокуратова и А. Васильева

Заказ 104/4 Изд. № 74 Тираж 403 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5