Запоминающий элемент реверсивного трехтактного
Патент 364963
Авторы
Классы МПК
Запоминающий элемент реверсивного трехтактного
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 364963
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистичесних
Республин
Зависимое от авт. свидетельства №
Ч Кт. О llc 19/00
Заявлено 29.VI.1967 (№ 1170213/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681.327.66(088.8) Опубликовано 28.XI1.1972. Бюллетень № 5 за 1973
Дата опубликования описания 23.П.1973
Автор изобретения
А. П. Буденный
Заявитель
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ РЕВЕРСИВНОГО ТРЕХТАКТНОГО
РЕГИСТРА СДВИГА
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.
Известен запоминающий элемент памяти трехтактного регистра сдвига, выполненного на полупроводниковой структуре с S-образной вольтамперной характеристикой.
Предложенный запоминающий элемент отличается тем, что в него вместо полупроводникового прибора введен конденсатор, последовательно подключенный к полупроводниковой структуре с S-образной вольтамперной характеристикой.
Это позволяет упростить технологию изготовления реверсивного трехтактного регистра сдвига.
На фиг. 1 дана принципиальная схема предложенного устройства; на фиг. 2 — вольтамперная характеристика полупроводниковой структуры; на фиг. 3 — вариант конструктивного выполнения регистра сдвига.
Регистр содержит три шины1 — 8. При подаче на шину 1 от генератора 4 высокочастотного питания, те из активных элементов 5, которые связаны конденсаторами б с шиной 1, детектируют высокую частоту, и на них образуется положительная составляющая напряжения (при вольтамперных характеристиках, изображенных на фиг. 2). Напряжение генераторов 4, 7 и 8 выбрано меньше пробивного напряжения элементов. Если требуется записать единицу слева, то генератор 9 записи подает импульс, больший чем пробивное напряжение элемента 10, элемент записи 10 про5 бивается, и по твердому телу происходит диффузия носителей до первого рабочсго элемента 5, на котором имеется постоянная составляющая напряжения. Подход носителей зарядов к элементу 5 вызывает его пробой.
Частота и амплитуда напряжения и емкость конденсаторов выбраны так, чтобы элемент находился в пробивном состоянии неограниченно долго.
Для продвижения записанного числа вправо напряжение генератора 4 снимается, и одновременно подается напряжение генератора
7 на шину 2. Затем это напряжение снимает20 ся, и подается напряжение с генератора 8 и, наконец, снимается напряжение с генератора
8, и подается снова напряжение с генератора
4. Проводящий элемент сдвигается на три номера вправо. После этого снова может быть
25 записан импульс в первый рабочий элемент 5.
Запись с правой стороны регистра происходит аналогично, но последовательность ра30 боты генераторов 4, 7 и 8 должна быть заме364963
Предмет изобретения
Фир,.1
Составитель Л. Мартьянов
Техред Л. Богданова
Редактор Л. Утехина
Корректоры: Л..Корогод и М. Коробова
Заказ 321/14 Изд. № 110 Тираж 576 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
3 иена на последовательность 4, 8, 7, что приводит к сдвигу чисел влево.
Считывание чисел слева производится по величине постоянной составляющей напряжения на первом рабочем элементе 5 в момент, когда подано напряжение с генератора 4, и аналогично справа.
На фиг. 3 показано конструктивное выполнение регистра. На контактные площадки активных элементов нанесен изолятор, а затем металлические шины 1 — 8, образующие конденсаторы с контактными площадками, и изолированные между собой. Выводы для записи и считывания нанесены аналогично.
Запоминающий элемент реверсивного трехтактного регистра сдвига, выполненный на полупроводниковой структуре с S-образной вольтамперной характеристикой в одном направлении напряжения и малым сопротивлением в другом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, к
10 полупроводниковой структуре последовательно подключен конденсатор, связанный с источником питания, который выполнен в виде генератора пачек импульсов с высокочастотным заполнением.