Влагопоглотитель для полупроводниковых

Влагопоглотитель для полупроводниковых

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

С П И 1" А Н И Е

И ЗОБРЕТЕ Н И и

365756

Се аз Советских

Сациалистическиз

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельств; ¹ ——

Заявлено 10.111.1970 (№ 1414742j26-25) . 1.К т. И 01/ 1, 10 с присоединением заявки ¹â€”

Комитет по дела|в изобретений и открытий при Спеете Министров

СССР

Приоритет—

Опубликовано 08.1.1973. Бюллетень Л > 6

Дата опублнковаш|я описания 6.1V.1973

УДК 621.382.002 (088.8) Авторы изобретения

О. Г. Мисуркин, М. П. Витол, P. К. Анстранга, И. А, Матвеева и М. М. Стручаев»

Заявитель

ВЛАГОПОГЛОТИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов.

При изготовлении полупроводниковых приборов применяются адсорбенты-цеолиты в виде порошка (таблеток) в чистом виде или в смеси с геттероноснтелямн. Так, например, при изготовлении сплавно-диффузионных и сплавных германиевых транзисторов типа

П 416, 1Т308, ITM305, 1Т309 н т. д. примсняется кремнийорганнческий вазелин КВ-3 с добавлением 5-15 вес. ч. цеолита (N!IA, СаЛ и т. д.).

Известны и друп|с составы защитных»окрытий, как, например, крезшийорганическне вазелины с добавлеш|см молекулярных сит и осушающих (ВаО) или увлажняющнх (CaS04. 1/2 Н20) агентов. Однако применение таких наполнителей может привести к значительной осушке или увлажненшо атмосферы в корпусе прибора, а следовательно. к большой нестабильности электрических параметров.

Применяются кремнпйорганичсские вазелины с добавлением борного ангидрида, но в этом случае стабилизация параметров для отдельных типов приборов достигается в случас примснсш|я термообработкн прн высоких температурах -140 С после герметизации, что зачастую неприемлемо ввиду конструктивных особенностей прибора. Кроме того, в процессе технологического nponaaogcI a I ) различных приборов может оыть разное количество влаги в атмосфере корпуса. Следовательно, для разных приборов в одной партии требу5 ется для стабплнзацш| различная температура термообработки.

Цель изобретения состоит и разработке такого защитного покрытия для полупроводниковых приборов, который бы смог обеспечить

|о необходимую влажность вп корпуса полупроводникового прибора независимо от начального содержания влаги в корпусе прибора до термообработкн и гарантшо высокой стабильности электрических параметров при|5 боров прп работе пх в интервал| температур от — 60 до +100 С.

Поставленная цель достигается тем, что используют смесь борного анп|дрида и молекулярного сита, взятых в соотношении соответственно 9 — -1:1- — 9. Иногда в указанну!o смесь вводят геттероносптель, например

КВ-З.

Борный ант.ндрпд прн определенных нсходш|к обработках и соотношениях с молекулярным ситом в случас избытка влаги в корпусе прибора прн тсрмообработке поглощает влагу. В случае создания более осушающей среды но сравнсншо с нсобходнмои — — отдает внутрешною влагу в атмосферу прибора. Be;/I coaoe кочичество борного анп|дрида, молеку365756

Составитель М. Сорокина

Р.доктор С. Хейфиц Тсхрсд Е. Борисова Корректоры А. Дзесова и Л. Бадылама

) (каз 931 Изд. _#_o 1123 Тираж 780 Подписное

1111ИИПИ Козпатета по делам изоорстенвй и огкрытий пра Совете )1кв(стров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 1/5 ()бг(, тпп Костромского управлсппп нз Iàòñëüñòi). полш рафаи Jl к(п(;!(ii(!I (()рг(гвл(. лярного сита и геттероносителя зависит от типа, конструкции и технологии изготовления приборов.

Обеспечение высокой стабильности электрических параметров достигается при использовании соотношений молекулярного сита-борного ангидрида соответственно в пропорциях 9 †: 1 и 1 — 9 или та же смесь в соотношении 5 — 25 вес. ч. на 100 вес. ч. геттероносителя. Молекулярное сито применяется с влагоемкостью не менее 15%, борный ангидрид — с содержанием основного вещества не менее 95%. Для стабилизации электрических параметров достаточна термообработка при

85 †1 С в течение 24 †1 час, Описываемый влагопоглотитель применим как к диодам, так и к транзисторам а-р-п, р-п-р и p-n-c-p типа. Полупроводниковыми материалами являются германий и кремний.

Поверхность кристалла защищалась вазелином КВ-3 с добавлением цеолита NaA и борного ангидрида ВзОз соответственно в соотношениях 2 и 5; 4 и 5; 7 и 3 вес. ч. на 100 вес. ч.

КВ-З, а также смесью порошков в соотношении 4 — 5 вес. ч. Параллельно проведена партия с вазелином КВ-3 н добавлением 15 вес. ч. только цеолнты N3A. Перед изготовлением зыщитного покрытия кремнийорганический вазелин КВ-3 вакуумировался не менее 4 час. прн

120 С при вакууме 5 10 — мл. рт. ст., цеолнпг

NaA отжигался при 450 — 500 С в течение 6 час, 5 борный ангидрид при 200 С в течение 4 час.

Температура термообработки транзисторов после герметизации была 85 +5 С вЂ” 72 час.

Срок службы 400 час, Р 100 ывт, T+20 С. Тык как при применении смеси борного ангидрида, l0 молекулярного сита и геттероносителя внутри прибора обеспечивается необходимая атмосфера, стабильность параметров повышается.

Предмет изобретения

1. Влагопоглотитель д.. я полупроводни; огых приооров, содержащий геттер на основе цеолнта N3A и связующее, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности гет20 тера и повышения стабильности параметров приборов, в качестве геттера использованы смесь цеолита и борного ангидрида в следующем соотношении (в вес. ч.): цеолит- — 1-:-9, барный ангидрид — 9-: — 1.

25 2. Влагопоглотитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве связующего использован кремнийорганический вазелин в количестве

75 — 95 вес.%.