-гсо-озная

-гсо-озная

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 369688

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹ 347899

Заявлено 12.Х.1970 (№ 1480482/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опчбликовано 08.l l.1973. Бюллетень Л 10.Ч. Кл. Н 03k 4/02

Комитет оо делам изобретений и отнрытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.373.531(088 8) Дата опубликования описания 23.IV.1973

Авторы изобретения

М. А. Ананян и Е. Б. Алексеев

Московский ордена Ленина энергетический институт

Заявитель

ГЕНEPATOP ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Предлагаемый генератор относится к области наносекундной импульсной техники и может найти применение при разработке цифровых измерительных приборов, в осциллографах и т. д.

По основному авт. св. № 347899 известен информатор импульсной последовательности.

Однако известный генератор не обеспечивает возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов.

С целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов в предлагаемом генераторе между входом запускающих импульсов и базой транзистора первого ключа введен дополнительный транзистор, коллектор которого «заземлен», а эмиттер подключен к коллектору транзистора первого ключа, к которому. через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех последующих ключевых каскадов.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема описываемого генератора импульсной последовательности; на фиг. 2 — его временная диаграмма.

Эмиттер транзистора 1, база которого подключена к источнику отрицательного смещения через делитель на резисторах 2 и 8 и к источнику входных сигналов через конденсатор 4, связан с коллектором транзистора 5 а к его эмиттеру подключен катод диода б < накоплением заряда (анод последнего подсое динен к общей шине) и блок 7 импульсногс питания диода.

Коллектор транзистора 5 через резистор 8 соединен с источником положительного постоянного напряжения, через резистор 9 — с коллектором транзистора 10, к эмпттеру кото10 рого подключен катод диода П с накоплением заряда (анод последнего подсоединен к общей шине) и блок 12 импульсного питания. Аналогичным образом коллектор транзистора 5 соединен с коллекторами транзисторов после15 дующих каскадов.

Величина сопротивлений, включенных между коллектором транзистора 5 и коллекторами транзисторов последующих каскадов, растет от каскада к каскаду. Так, например, со20 протпвление резистора 18, включенного между коллектором первого каскада (транзистор

5) и коллектором транзистора последнего каскада (транзистор 14) намного превышает сопротивление резистора 9.

25 База транзистора 5 через делитель на резисторах 15 и 1б подключена к источнику отрицательного смещения, а через конденсатор

17 — к источнику входных сигналов. База транзистора 10 связана с источником отрицаЗО тельного смещения через делитель на рези369688 сторах !8 и 19 и через конденсатор 20 и линию задержки 21 — с источником входных сигналов. Таким же образом базы транзисторов в последующих каскадах связаны с источником отрицательного смещения и источником входных сигналов, при этом перед каждым последующим каскадом включается дополнительно линия задержки, например, между источником входных сигналов и базой транзистора п-го каскада включается (п — 1) линия задержки.

В исходном состоянии транзистор 1 типа р — п — р открыт за счет отрицательного смещения на базе, транзистор 5 типа п — р — n, транзистор 10 типа и — р — п и транзистор 14 типа п — р — п закрыты. Через диоды б, 11 и 22 с накоплением заряда протекают прямые токи, обуславливаемые источниками импульсного питания 7, 12 и 28 соответственно (применение импульсного питания диода с накоплением заряда улучшает характеристики сигнала на выходе схемы).

С приходом запускающего сигнала положительной полярности транзистор 1 закрывается, одновременно выключается блок 7 импульсного питания диода б с накоглением заряда и открывается транзистор 5 на время, равное длительности фазы высокой обратной проводимости диода 5.

В этот период напряжение на коллекторе транзистора 5 равно сумме падений напряжений на диоде 5 и транзисчоре 5 и пренебрежимо мало (U на фиг. 2).

Одновременно запускающий перепад, р аспространяясь через линию задержки 21, включает следующий каскад на транзисторе 10 и диоде 11 с накоплением заряда, выключая блок 12 импульсного питания диода 11.

По окончании длительности фазы высокой обратной проводимости диода б (при соответствующем подборе длины линии задержки 21) начинается фаза высокой обратной проводимости диода 11, при этом перепад напряжения на коллекторе транзистора 5 определяется делителем, образованным резистором 8 и суммой сопротивлений резистора 9, насыщенного (открытого) транзистора 10 и диода 11 (К на фиг. 2).

Таким же образом последовательно включаются в работу отдельные каскады. На выходе формируются перепады напряжения большей величины, соответствующие большим значением сопротивлений резисторов, включенных между коллектором транзистора 5 и коллек10 торами транзисторов в последующих каскадах.

При окончании положительного перепада на входе транзистор 1 снова открывается, шунтируя коллектор транзистора 5. Напряжение на выходе резко падает (фиг. 2). Схема снова готова к работе.

Изменяя сопротивления резисторов 9, 13 и т. д., можно регулировать величину соответствующей ступеньки напряжения (U>, U, U< на фиг. 2), изменяя длительности фазы высокой обратной проводимости диодов б, 11, 22 и т. д., изменением величины прямого тока, протекающего через них; синхронно с изменением времени задержки срабатывания соответствующих каскадов можно регулировать длительность любой ступеньки напряжения (7"ь T T3, Т4 на фиг. 2). Количество формируемых на выходе ступенек напряжения определяется числом каскадов предлагаемого

ЗО устройства.

Предмет изобретения

Генератор импульсной последовательности

35 по авт. св. М 347899, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов, между входом запускающих импульсов и базой транзи40 стора первого ключа введен дополнительный транзистор, коллектор которого «заземлен», а эмиттер подключен к коллектору транзистора первого ключа, к которому через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех

45 последующих ключевых каскадов.

369688

Е иод

Ъы

Составитель С. Лукинская

Редактор М. Афанасьева Техред Т. Курилко Корректоры: Е. Сапунова и T. Журавлева

Заказ 1127/ll Изд. № 1276 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2