Способ травления хрома i

Способ травления хрома i

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

370280

ОПИСАНИЕ

ИЗОБ РЕТ.ЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскик

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 21 11.1972 (№ 1750837/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.11,19?3. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 4.IV.1973

М. Кл. С 23f 1/00

Н 05k 3/06

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мимистрое

СССР

УДК 621.794.449:669.26:

:621.396.6 (088.8) Авторы изобретения О. А. Колмаков, Г. М. Белевич, Б, E. Раснецова и Г. Я. Колмакова

Заявитель

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ХРОМА

Изобретение относится к технологии производст|ва приборов электронной техники, в част)ности,к изготовлению интегральных и пленочных микросхем, а также хромовых прецизионных фотошаблонов, применяемых в производстве изделий микроэлектроники.

Известные способы избирательного травления пленок хрома, нанесенных на неметаллическую подложку — стекло, ситалл, кварц— основаны FIB использовании солянокислых растворов с активацией, например контактированием поверхности хрома с металлом (цинком, аллюминием и др.) г, виде стержня или стружки.

В известном способе имеет место критичность ко времени травления, что усложняет управление процессом, а также затрудняет объективный контроль, фиксирование момента окончания травления и достижение требуемых размеров.

Предлагаемый способ позволяет механизировать, процесс травления и повысить выход годптых изделий, что достигается использованием в качсст)ве актилатора процесса травления 1 — 10%-ного водного раствора боргидрида щелочного одповалентного металла.

Активирование поверхности пленок хрома и их последующее травление осуществляют следующим образом.

Пластины с:ромовыми пленками, на которые нанесен защитный фоторезистивный рисунок, полученный с применением негативного или позитивного фогорезиста, обрабаты5 вают в ооъеме нли распылением форсункой раствором следующего состава: боргидрича щелочного одновалентного металла — 10—

100 г; воды — до 1 г. Приготовленный раствор перед употреблением необходимо в те10 ченне не менее 20 .чин выдержать в герметичной таре, защищенной от действия света.

Заготовки активируют в течение 0,5 — 3,0 лшн, после чего пх обрабатывают травителем ня основе соляной кислоты в обьеме нли в днс15 персной среде до по Iíîãо стравливания xðома с незащищенных фоторезистом участков.

При травле; пи пленок хрома в обьеме газовые пузырьки удаляют встряхиванием пластины. При использовании активатора — вод20 ного раствора боргндрндев щелочных зтеталлов и травителя на основе соляной кислоты обработкой в дисперсной среде с помощью форсунок происходит равномерное травление по всей поверхности, исключается образова25 ние подтрава и отпадает необходимость удалять пузырьки воздуха, что обязательно при травлении в объеме.

Пример 1. Боргндрида натрия (ХяВН))—

2 г; воды — 100 лот; время актнвпрованпя—

30 2 .цпн.

370280

Составитель О. Обухова

Техред Е. Борисова

Корректоры: Л. Царькова и Е. Талалаева

Редактор Г. Полехова

Заказ 675/7 Изд. № 278 Тираж 826 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-З5, Рвушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Пример 2. Боргид рида натрия (NaBH4)

4 г; воды — 100 мл; время активирования ! мин.

Пример 3. Боргид рида натрия (NaBH4)

8 г; воды — 100 мл; время активпрования

30 сек.

Пример 4. Боргидрида калия (КВН4)

3 г; воды — 100 м г; время акпивирования

1 мин.

П р и и е р 5. Боргидрида калия (КВН4)—

6 г; воды — 100 м г; время акти вирования—

30 сек.

Интервалы количества борпидридов щелочных мгталлов обусловлены следующим. При 15 содержании в растворе боргидридов менее

1 г на 100 мл воды раствор быстро вырабатывается. Содержание бовгидридов более

10 г на 100 мл воды нецелесообразно из-за увеличения расхода соли при том же вре- 20 мени активирования. В качестве травителей используются травители На основе соля ной кислоты, например: кислота соляная, d — 1,13 г/смз: при активировании в растворе., указанном в при- 25 мере 1, время тра вления пленки хрома толк щиной 0,12 мкм — 7 мин; кислота соляная, d — 1,18 г/смз: при активпровании в растворах, указанных в примерах 1, 2, 4, время травления пленки хрома толщиной 0,12 мкм — 2 мин; кислота солярная, d — 1,18 гlсм — 100 мл;

5% -ный раство!р ОП-7 (ОП-10) в воде—

2 мл: при активировании в растворах, указаяпных в примерах 2, 3 и 5, время травления пленки хрома толщиной 0,12 мкм — 2—

2,5 мин;

|кислота соляная, d — 1,18 г/см — 100 мл;

50% -.ный раствор натриевой соли диэтилгегссилового эфира сульфоянтарной кислоты: при активирова нии в растворах, указанных в примерах 2, 3 и 5, время травления пленки хрома толщиной 0,12 мкм — 2 — 2,5 мин; ,кислота соляная, d — 1,18 г/см — 100 мл;

50%-.íûé раствор полиамфолита в воде—

2 мл: при толщине пленки хрома 0,3 мкм время травления — 3 — 4 мин.

Предмет изо бр етен ия

Способ травления хрома, например, при изготовлении пленочных микросхем в солянокислом растворе с использованием активатора, OT,ãII÷òoùèéñÿ тем, что, с целью обеспече ния возможности механизации процесса травления и повышения выхода годных издел ий, в качестве активатора используют

1 — 10% -ный водный раствор боргидрида щелочного одновалентного металла.