Способ сборки полупроводниковых приборов
Патент 370683
Авторы
Классы МПК
Способ сборки полупроводниковых приборов
Иллюстрации
Реферат
370683
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалисти ческих
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н Olt 7/64
Заявлено 28.XII.1970 (№ 1608611/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 15.11.1973. Бюллетень № 11
Дата опубликования описания 18.1V,.1973
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК, 621.382.002(088.8) Авторы изобретения
А. А. Россошинский, В. А. Лебига, В. М. Кислицын и А. Г. Мусин
Институт электросварки им. Е. О. Патона в -- - --: - - :" Й
Заявитель
СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Предмет изобретения
1
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии присоединения выводов .к полупроводниковым элементам электронных устройств.
В,известном способе сборки полупроводниковых п риборов, основанном на укладке элементов п рибора в кассету и их импульсном нагреве при одновременном сжатии двумя пуансонами п роисходит разрушение палупровод никового матер нала или возникновение остаточных, напряжений вследствие различия коэффициентов термического, расширения металлических,выводов,и полупроводникового кристалла. При этом возникающие остаточные напряжения будут тем больше по величине, чем больше усилие сжатия пуансонов.
Цель изобретения — уменьшение остаточ ных;напряжений в паяном соединении металл — проводник, а следовательно, увеличение прочности и качества полупроводниковых прибо,ров.
По п редлагаемому способу в процессе пайии изделий, как только начинается образование жидкой фазы, а следовательно, происходит и осадка пуансонов, уменьшают усилие сжатия таким образом, чтобы к моменту затвердеванпя припоя величина усилия составляла 10 — 30% от исход ного. Такое регулирование величины сжатия существенно снижает остаточные, напряжения в полупроводниковом элементе. В результате улучшаются электрические параметры электронного устройства и
1О повышается механическая прочность паяного соединения.
Способ сборки полупроводниковых гврпборов, основанный на,импульсном нагреве соединяемых элементов прибора с регистрацией
20 осадки пуансонов, сжимающих элементы, отличаюииася тем, что, с целью улучшения качества пайки, в момент осадки пуансонов сжимающее усилие уменьшают до 10 — 30% от исходного.