Частотно-модулированный генератор
Патент 370703
Авторы
Классы МПК
Частотно-модулированный генератор
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
370703
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт, свидетельства ¹â€”
М. Кл. Н 03с 3/08
Заявлено 17Х11.1970 (№ 1452608/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 15 11.1973. Бюллетень ¹ 11
Дата опубликования описания 16Х.1973
Комитет по делам изобретений и открытий ари Совете Министров
СССР
УДК 621.376.3 (088.8) Автор изобретения
А. Г. Паук
Заявитель
ЧАСТОТНО-МОДУЛ И РОВАН Н Ы Й ГЕН ЕРАТОР
Изсбрете ние относи гся к радиопередающим устройствам и может быть использовано в системах радиорелейной и космической связи с частот ной мод уляц ией.
Известен частотно-модулированньпт генера- 5 тор, выполненный на транзисторе и содержащий источник модулирующего сигнала. регули руемый делитель нап ряжения цепи базового смещения и параллельные контуры с заданными величинами добротности и частоты, 1о включе нные в змиттер и коллектор т ранзистоgapa. Такой генератор характеризуется низким отношением полосы перестройки к несущей частоте и узкополостностью частотно-модулированных колебаний. 15
Цель изобретения — повышение линейности дифференциальной характеристики в широкой полосе частот.
Для этого в предлагаемом устройстве в цепь базы транзистора включен фазокорректи- 20 рующий .контур, а между базой и эмиттером подключен конденсатор.
На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого частотно-модулированного генератора. 25
Генератор содержит транзистор 1, к базе которого через конденсатор 2 подключен источник модулирующего сигнала; регулируемый делитель напряжения цепи базового сьмещения, состоящий из резистора 8 и потенцио- 30 метра 4; параллельныи контур, состоящий из индуктивности 5 и резистора 6, включенный в коллектор транзистора и настроенный на среднюю частоту генерации; контур, состоящий из последовательно соединенных пндуктивности 7 и резистора 8, включенный в эмиттер тра!нзистора и имеющий очень низкую добротность; фазокорректирующий контур, состоящий из индуктивности 9 и .резистора 10, включенный в цепь базы транзистора; конденсатор 11, подключенный между базой и эмиттсром транзистора; развязывающие конденсаторы 12, 18 и источник питания.
Для возбуждения колебаний в генераторе необходимо, чтобы в цепи, охвачен ной положительной обратной связью вьополнялись следующие условия: коэффициент усиления на линейном участке характерпсстики усилительного элемента F)1, а сумма фазовых сдвигов в замкнутой цепи с =2 . Цепь обратной связи в генераторе образована проводимостями у., и у 2 транзистора. Ширскополосньш контур, включенный в эмиттер транзистора rI имеющий очень низкую добротность, позволяет,получить высокое,входное сопротивление транзистора. Включение в коллекторную цепь транзистора параллельного контура, настроенного на среднюю частоту генерации, IIIoзволяет получить большую амплитуду высокочастотного напряжения в коллекторной цеПредмет изобретения
Составитель Г. Челей
Техред T. Курилко
Редактор Т. Иванова
Корректор В. Жолудева
Заказ 193/687 Изд. № 231 Тираж 780 Подписное
LIHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип Харьк. фил. пред. «Патент» пи, близ кую к вел и чине на пряжен ия источника иитаппя. Поэтому в базовую цепь транзистора поступает, высокочастотное напряжение. величина которого достаточна для поддержания колебаний во всей полосе генерации.
Сумма фазовых сдв и гов на частоте генераци и, равная 360, складывается из сдвига фазы проводимости база — коллектор транз истора, сдвига фазы,про водимости ixоллектор— база транзистора, сдвига фазы п роводимости база — эмиттер, обусловленной комплексным хг рактвром входной проводимости транзистора IH емкостью,Koнденсатора 11, сдвига фазы, обу словленнопо фазжорректпрующим контуром, включенным в цепь" базы транзистора, сдвига фазы, обусловленного параллельным контуром, включенным в коллекторную цепь транзистора. При изменении коллекторного тока сдвиг фазы, .обусловленный проводимостью база — коллектор у2ь проводимостью коллектор — база у|2 и входной проводимостью у,1 пранзистара, изменяется. При этом сумма фазсвых сдвигов на частоте генерации оказывается не равной 360, и частота генерации изменяется до тех пор, лака будет вы полнено условие баланса фаз. Изменение фазы провсдимости транзистора находится в нелинейной зависимоспи от тока коллектора. Для
ToI o чтобы изменение I(o« I IeHTapH oro тока DpHводило к линейному изменению частоты генерап1ии, используют фазокорректирующий контур, аключенный в цепь базы транзистора.
5 При изменении частоты генерации изменяется фазовый сдвиг, BIHolcHìûé внешними целями, включенными в цепь базы и эмиттера транзистора. Величины иядуктивностей 7 и 9 и сопроти влеяий резисторов 8 и 10 подбирают таким
10 образом, чтобы акомпеноировать нелинейную зависимость фазового сдвига проводимостей
У в Уп, Уд от KQJIJIBKToPHoго тока.
Часпотно-модули|ронанный генератор, выполне нный на пра нз исюре, содержащий источник модулирующего сигнала, подключенный через конденсатор IK базе т1ра нзи стора, ре20 гулирувмый дел|итель напряжения цепи базового смещения и параллельные контуры с заданными величинами добротности и частоты, включенные в эмиттер и коллектор транзистора, отличающийся твм, что, с целью повыше25 ния ли нейности дифференциальной характеристики в широкой полосе частот, в цепь базы транзистора включен фазокорректирующий контур, а между базой и эмиттвром подключен конденсатор.