Способ изготовления высокостабильных резисторов

Способ изготовления высокостабильных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКО- .СТАБИЛЬНЫХ РЕЗИСТОРОВ посредством пиролиза кремнийуглеродистых соединений» отличающийся тем, что, с целью повьпиения стабильности резисторов, на кремнийуглеродную пленку наносят чисто углеродистую,а затем снова кремнийуглеродистую пленку.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН,SU„„7 р ц Н 01 С 17/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕ П:ЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1353511/26-90 (22) 04.08.69 (46) 30.05.84. Бюл. Ф 20 (72) Л.Г. Власов, Л.П. Кошкина, И.А. Спенакова и О.П. Коновалова (53) 621.316.86(088.8) (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКО,СТАБИЛЬНЫХ РЕЗИСТОРОВ посредством пиролиза кремнийуглеродистых соединений «ъ т л и ч а ю ш, и и с я тем, что, с целью повьыения стабильности резисторов, на кремнийуглеродную пленку наносят чисто углеродистую а затем снова кремнийуглеродистую пленку.

371835

Редактор Л. Утехина Техред M ° Íàäü Корректор Л.Шеньо

Заказ 3920/4 Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал П11П "П, тент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области радиотехнической промышленности.

Известен способ получения пленочных углеродистых резисторов посредством нанесения на подложку кремнийуглеродистых пленок.

Такой способ не обеспечивает получения высокостабильных резисторов, По предложенному способу на кремнийуглеродиствую пленку наносят чисто углеродистую, а затем снова кремнийуглеродистую пленку.

Это позволяет повысить стабильность резистэров.

На керамическую подложку методом пиролиза наносят последовательно кремнийуглеродиствую пленку с сопротивлением больше 10 Мом/кв, угле— родистую пленку нужного сопротивления при 950 С и вновь кремнийуглео родистую пленку с сопротивлением больше 10 Мом/кв.

Как средства наслоения могут быть применены для кремнийуглеродистых пленок — алкилдиалкоксисиланы, для

10 углеродистых пленок — гептан кси9 лол и др.

Нанесение пленок можно осуществлять в вакууме или в среде инертного

Э газа, как в камерных печах, так и в печах непрерывного действия (в камерных печах слои наносят непрерывно — последовательно и раздельно.