Устройство для определения рассеивающей способности электролитов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
3724 8I
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 17.Ч.1971 (№ 1662171/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01 111.1973. Бюллетень № 1,3
Дата опубликования описания ЗЛ Ш.1973
М. Кл. G 01n 13,/04
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.317.3.729.1 (088.8) Авторы изобретения
А. В. Касьянов, Ю. М. Лошкарев и Д. К. Ворвулев
Морской гидрофизический институт АН Украинской ССР„,,,Заявитель
"t !
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАССЕИВАЮЩЕЙ
СПОСОБНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТОВ
Устройстно предназначено для измерения распределения электрического тока в электролитических растворах гальванических ванн, может быть использовано в гальванотехнике на промышленных предприятиях и в исследовательских лабораториях.
Известны устройства для определения рассеивающей способности электролитов, содержащие погружной датчик, включенный в электрическую измерительную схему. Распределение тока между электродами измеряется амперметрами, и по измеренным величинам тока и по толщине гальванического покрытия рассчитывается рассеивающая способность электролита.
Известные устройства громоздки и н еудобны для использования в гальванических производствах.
Предлагаемое устройство позволяет производить измерения быстро, непосредственно в рабочих ваннах, получать объемные (а не в одной плоскости), более полные воспроизводимые результаты, вести контроль и определять оптимальные режимы работы ванн в производствен ных условиях, Оно отличается тем, что погружной датчик выполнен в виде шара, разделенного эбонитовым основанием на пять электропроводящих сегментов, служащих катодными электродами, над которыми расположен общий анод.
На фиг. 1 изображен погружной датчик; на фиг. 2 — принципиальная схема приставки в сочетании с датчиком.
Датчик выполнен в виде шара с пятью ша5 ровыми,сегментами К вЂ” Ко |из нержавеющей стали с полированной поверхностью и одинаковой площади. Сегменты, являющиеся катодами, закреплены на эбонитовом основании 1.
К каждому сегменту припаян изолированный
10 провод 2. Провода 8 от сегментов выведены через отверстия в основании, эбонитовую трубку 4 и полихлорвиниловую трубку-шланг 5 к разъему (на фиг. 1 не показан). Через боковое отверстие в эбонитовой трубке выведен
15 кронштейн б из толстого медного.провода. На выходе из эбонитовой трубки к проводу-кронштейну припаян изолированный провод, выведенный через шланг к разъему. Кронштейн покрыт кислотостойким лаком. На торце его
20 крепится с помощью штыря-разъема 7 съемный электрод-анод 8. Полость эбонитового основания l и трубки 4 с проводами от шаровых сегментов-катодов залита полиэтиленовой смолой, чем достигнута герметичность
25 датчика. Под выступом 9 эбонитовой трубки расположен пенопластовый поплавок 10, сообщающий датчику положительную плаьучесть при погружении его в электролит.
Измерительная приставка (фиг. 2) пред30 ставляет собой коммутирующую схему на
3 микропереключателях МП,— МПз и измерительную схему из двух миллиамперметров Аь
А> с шунтами Lll>, I112 для измерения пределов измерения с помощью переключателя П.
В цепь электрода К1 — Кз включены резисторы
% — Rs, сопротивления которых равны внутреннему сопротивлению миллиамперметра Аа, для компенсации режима по току при измерении тока через каждый электрод. Схема питается от двух сухих батарей Б, ток регули. руется потенциалом R. Датчик подсоединен к измерительной приставке через контакты 11--1б разъема.
При погружении датчика в электролит (свободно зависает на поплавке) замыкается цепь между анодом 8 и шаровыми сегментами-катодами К вЂ” Кз. Через нормально замкнутые контакты микропереключателей МП вЂ” МПз и резисторы R< — R5 электроды-сегменты Кт — Кз, подключенные параллельно к общей точке схемы «0», образуют, таким образом, по току цельное шарообразное тело, через поверхность которого в электролите от анода 8 замыкается электрический ток. Общий ток регистрируется миллиамперметром А1. Последовательно переключая контакты микропереключателей МП,—
МП2 и т. д., каждый из электродов-сегментов
К1 — К и т. д. подключается к общей точке
372481
4 схемы «О» через второй миллиамперметр Л2, включенный последовательно с первым А .
Таким образом измеряется ток через поверхность каждого из электродов К вЂ” Кз, являю5 шихся частью шарообразного тела. Разница в величинах токов, проходящих через каждый электрод, зависит от рассеивающей способности электролита — в электролитах с хорошей рассеивающей способностью эта разница мень10 ше. Так как рассеивающая способность зависит, в частности, от плотности тока, то, определив расхождение в величинах плотности тока, изменяя его величину в определенном диапазоне, можно определить оптимальный токо15 вый режим работы электролита.
Предмет изобретения
Устройство для определения рассеивающей
20 способности электролитов, содержащее погружной датчик, включенный в электрическую измерительную схему, отличающееся тем, что, с целью оптимизации воспроизводимости результатов, погружной датчик выполнен в виде
25 шара, разделенного эбонитовым основанием на пять электропроводящих сегментов, служащих катодными электродами, над которыми установлен общий анод.
Фиг. 2
Составитель Г. Невская
Редактор С. Чижова
Техрсд Т. Ускова Корректор О. Усова
Заказ 2077/14 Изд. № 520 Тираж 755
Подписное
III.1ÈÈÏÈ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете
Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2