Прибор на основе арсенида галлия

Прибор на основе арсенида галлия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(63) Дополнительное к авт. свил-sy

Щ Заявлено 280671 (21} 1674 107/26-25 (Sl) М. Кл.

Н 01 1. 29/00

888Я388Я888Я8 8811881

6888П II88Wy88 OC5P .

88 Рив 8888()8т886

8 ЭПЦ}ИПФ (43) Опубликовано 05.12.77. бюллетень ЭЬ 45 з ь (45) Дата опубликования описания,1412,77 (53) УДК 628. 382.2 (088.8} (73) Автори

Б.С.Лисенкер, И.E.Ìàðîé÷óê, 10.E.Ìàðîí÷óê и О.В.Сеношенко иаобрвтвниЯ

pl) 3аявитвль институт Физики полупроводников сибирского отделения AH cccP (54) ПРИБОР HA ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Формула изобретения

Изобретение относится к конструк-1 циям полупроводниковых устройств на основе арсенида галлия, использующих принципы эФФекта поля.

Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структуры).

Известные МДП- структуры не позволяют получить плотность поверхностных состояний на границе раздела арсенид галлия-диэлектрик менее 10© см .

Из-за значительной плотности состояний (1-4) ° 10 см, на границе раздела -диэлектрик полевые приборы с известными МДП- структурами не реализуют в полной мере принципиальных преимуществ арсенида галлия перед традиционными полупроводниками (кремний и др).

Цель изобретения — создание МДПструктуры на основе арсенида галлия с низкой (Э-10н см ) плотностью коверхностных состояний на границе раздела GaAs-диэлектрик и получение электрически прочного диэлектрика (Е„, 10 В/см) .

Цель достигается введением кромежуточного слоя диэлектрика нитрата гал2 лия бай между арсенидом галлия и слоем (или слоями) основного диэлектрика, например Si>18„.

При изготовлении предлагаемой конб струкции на пластину или слой арсенида галлия наносят слой нитрида галлн:=:-. выращивают слой {или слои) основного диэлектрика, затем наносят слой метал- ла или сильно легированного полупро)О водника.

Присутствие в МдП-структуре слоя нитрида галлия позволяет существенно (более чем в 3-4 раза) понизить плотность поверхностных состояний на гра)б нице раздела и, следовательно, сущест= венно улучшить характеристики полевых приборов на основе 6aAs например, увеличить максимальную рабочую часто=ту полевых транзисторов и МДП-варика2О пов .

Прибор на основе арсенида галлия с

М изолированным электродом, о т л и ч ю шийся тем, что, с целью улучше.ния его характеристик„ между арсенндом галлия и слоем диэлектрика распс=ложен дополнительный слой нитрида г;-. — лия.