Раствор для химического осаждения пленки с елен ида металла

Раствор для химического осаждения пленки с елен ида металла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

3

ОПИСАН

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И" Е

377445

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 23с 3/02

Заявлено 24.XI.1971 (№ 1716520/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17ЛУ.1973. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 20.VI.1973

Квинтет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621 793.3:661.849.582 (088.8) Авторы изобретения

Заявитель

Г. А. Китаев и В. М. Маркова

Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им. С. М. Кирова

РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕН КИ

СЕЛЕНИДА МЕТАЛЛА

Изобретение относится к области осаждения пленок соединений металла из раствора химическим путем.

Известен раствор для химического осаждения пленки селенида металла, содержащий соль металла, сульфит натрия, селеномочевину, комплексообразователь.

Предложенный раствор отличается от известного тем, что в него в качестве соли металла и комплексообразователя введены соответственно азотнокислая ртуть (окисная) и цианистый натрий при определенном соотношении компонентов. Это обеспечивает получение пленки селенида ртути.

Раствор содержит (в моль/л):

Азотнокислую ртуть (окисную) 0,001 — 0,1

Сульфит натрия 0,001 — 0,1

Селеномочевину 0,001 — 0,1

Цианистый натрий 0,004 — 0,4

Процесс осаждения пленки из данного р аствора осуществляют при температуре 20 — 90 С и рН 3 — 9. Получаемая пленка селенида ртути электропроводна.

Пример. Раствор для химического осаждения пленки селенида ртути приготавливают следующим образом.

К 10 мл 0,1 М раствора азотнокислой ртути (окисной) приливают 1,8 мл 1,15 М раствора цианистого натрия и 88 мл дистиллированной воды. В полученный раствор вводят 0,196 г сульфита натрия, растворяют, доводят рН раствора до 5,0 путем добавления азотной кислоты, после чего в раствор вводят 0,123 г селеномочевины и растворяют.

Подложку из непроводящего материала обрабатывают хромовой смесью, промывают водой, активируют и погружают в раствор для химического осаждения пленки селенида ртути. Процесс осаждения пленки осуществляют

10 при 50 С в течение 15 час. В результате на подложке осаждается пленка селенида ртути о толщиной 1600 А, электросопротивление которой составляет 350 ом/О.

15 П р едм ет изобретения

Раствор для химического осаждения пленки селенида металла, содержащий соль металла, сульфит натрия, селеномочевину, комплексообразователь, отличающийся тем, что, с

20 целью получения пленки селенида ртути, в него в качестве соли металла и комплексообразователя введены соответственно азотно. кислая ртуть (окисная) и цианистый натрий при следующем содержании компонентов (в

25 моль/л):

Азотнокислая ртуть (окисная) 0,001 — 0,1

Сульфит натрия 0,001 — 0,1

Селеномочевин а 0,001 — 0,1

30 Цианистый натрий 0,004 — 0,4

Приоритет. исчислять с 16 декабря 1970 г,