Полупроводниковый многослойный переключающий прибор

Полупроводниковый многослойный переключающий прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Сояетскик

Социалистическик

Респубпнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(Й1} Заявлено 260771 (21) 1686081/26-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.1078.Áþëëeòåíü № 37 (0 М Кл.

Н 01 L 11/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК621.382.3 (088.8) (45) Дата опубликования описания 160878 (72} Авторы изобретения

H.М.Беленьков, А.И.Курносов и Е.Е.Малицкий

Pl) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ

ПЕРЕКЛ10ЧАЮЦИЙ ПРИБОР

Изобретение относится к электронной технике.

Известны полупроводниковые переключающие приборы и устройства, обладающие вольтамперной характеристикой с двумя устойчивыми состояниями и имеющие строго фиксированные напряжения включения.

Однако напряжения включения этих приборов имеют ограниченный диапазон (8-12 В), обусловленный конструктивными особенностями приборов.

Цель изобретения — расширение диапазона напряжений включения.

Это достигается тем, что в предлагаемом полупроводниковом многослойном переключающем приборе в области узкой базы имеется выемка, на дне которой расположен слой противоположного типа проводимости, причем площадь его меньше площади дна выемки, ар-о=переход,. образованный этим слоем и узкой базой, не касается боковых стенок выемки.

На чертеже схематически изображен предлагаемый полупроводниковый переключающий прибор, например, р -П-p- Dтипа. Прибор содержит змиттер 1 с проводимостью Р --типа контакт 2 базу 3 с проводимостью 11 -типа, базу 4 с проводимостью р-типа,эмиттер 5 и -типа, контакт 6, дополнительный слой 7 и -типа, контакт 8 и изолирующее покрытие 9.

Размеры и элвктрофизические характеристики слоев выбирают из условий реализации и необходимых значений рабочих токов и,напряжени1Г.

Принцип работы прибора заключается в следующем.

Для получения величины напряжения включения более 12 В йо управляющему электроду величину поверхностной концентрации р -базы выбирают

10 см, благодаря чему реализуется достаточная эффективность l1 -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениер-П- перехода, образованного р-базой 4 н слоем 7. Из" меняя глубину выемки можно в щиро" ком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения.

Для получения значений управляющего напряжения менее 8 В необходи380222

Составитель О.федюкина

Редактор Т.Колодцева Техред Н.Бабурка Корректор Р.Сердюк

Заказ 5463/1 Тираж 960 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 яо поднять поВерхностную: концентрацию p --базы до.нужного значения, а глубину выемки выбрать иэ условия получения достаточной эффективности

З-эмиттера при этом h --эмиттером служит слой 7, а.дополнительным слоем - эмиттер 5. Ь

В рассмотренном примере выбран эпйтаксиально- аланарный вариант структуры, однако это не принципиально и предлагаемая конструкция может быть реализована любыми другими способами. Конструкция обеспечивает возможность получения симметричных характеристик при соответству-.

NUM расположении областей.

Формула .лэобретения .Полупроводниковый многослойный

Переключающий прибор, содержащий полупроводниковый кристалл с последовательно Чередующимися слоями противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона напряжений включения, в области базы

Р-типа проводимости имеется выемка, на дне которой расположен дополнительный слой ?I-типа, причем площадь дополнительного слоя меньше площади дна выемки, а р- П-переход, образованный дополнительным слоем и узкой базой, не касается боковых стенок вйемки.