Стекло для изоляции полупроводниковых

Стекло для изоляции полупроводниковых

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 30.Х1.1971 (№ 1720152/29-33) М. Кл. С 03с 3/10 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 22.Ч.1973. Бюллетень М 22

Дата опубликования описания 13Л III.1973

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ЧДК 666 112 4(088 8) Авторы изобретения

В. 3. Петрова, А. И. Ермолаева и А. H. Поспелов

Московский институт электронной техники

Заявитель

СТЕКЛО ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

30 — 40

15 — 25

5 — 10

35 — 42

РЬО

В20з

StOz

ZnO и, кроме того, РеОе

2,0 — 3,5.

2,0 — 3,5

Известное стекло для изоляции полупроводниковых приборов, включающее PbO, В Оз, SiO2 и ZnO, имеет высокую температуру размягчения порядка 640 С.

Для снижения температуры размягчения предлагаемое стекло содержит указанные компоненты в следующих количествах, % по весу:

Например, стекло состава (% по весу):

PbO — основа; ВзОз — 22,75; SiO — 10; Zn0—

41,6 и Р201 — 3 получают путем мокрого помола компонентов шихты в присутствии нзобутилового спирта до образования суспензия, которую наносят на подложки. Полученный слой стекла высушивают при 140 — 150 С в течение 15 — 20 л пн, а затем оплавляют прп температуре 570 †5 С.

Стекло описанного состава имеет хорошую адгезию и согласование с коэффициентом тер5 мического 1засши1)ения подложetс нз снталла н арсенида галлия.

Стекло для изоляции полупроводниковых приборов, вкзиочающее PbO, В О „SiO, ZnO, отличающееся тем. что, с целью снижения температуры размягчения, оно содержит ука15 занные компоненты в следующих количествах, с/ по вест

PbO 30 — 40

В Оз 15 — 25

SiO 5 — 10

20 ZnO 35 — 42 и, кроме того, РзОз