Прецизионный фотопотенциометр

Прецизионный фотопотенциометр

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04.1.1971 (№ 1606762/24-7),Ч. Кл, Н 01с 7/08 с присоединением заявки ¹

Комитет по делам иаобретеннй и открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 23Х.1973. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 31 VII.1973

УДК 621.316.849 (088.8) Авторы изобретения

Ю. С. Коненков, Ю-В. IO. Ввйткус н А. И. Жнндулн) »т йй

Заявитель ..й и

ПРЕЦИЗИОННЫЙ ФОТОПОТЕНЦИОМЕТР

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам, в частности,к устройствам прецизионных фотопотен!циометров и *переменных фотосопротивлений.

Известны фотопотенциометры, выполненные в виде нанесенных на, диэлектрическую подложку пленочных резистора, коллектора и коммутирующего их фотослоя. ,Как показали экспериментальные исследования известных фотопотенциометров, в результате неизбежно слабой (до 0,5 лк) подсветки темновых областей фотослоя, велич:Iна темнового сопротивления уменьшается в

100 †10 раз, что приводит к изменению выходного напряжения на 20 — 30%.

Таким образом, существенным недостатком из!вестного фотопотенциометра является неста!бильность выходного напрянжен»»я при изменении темновых сопротивлений фотослоя.

Целью изобретения является уменьшение влияния изменения темнового сопротивления фотослоя на выходное напряжение.

Указанная цель достигается тем, что на ди= электрическую подложку нанесена дополнитЕЛЬНаЯ РЕЗИСтИВНаЯ ПЛЕНКа, КОНтаКтИРУ»ОЩатн одновременно с резистором и коллектором по всей их длине.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где

1 — диэлектрическая подложка; 2 — резистор; 8 — фотосло»р; 4 — коллектор; 5 — дополнительная резнсп»ьная высокоомная пленка.

Расчеты локазывают, что пр!» изменении темновых сопротивлений фотослоя R, (при отсутствии высокоомного шунта) на, 20% выходное напрянтсн»»е поте!»циометра изменяется

-!.a 0,1о/

При наличии шунта уже изменение эквнва1 ш тф

10 .тентното сопротпеаенпн той= — нв

R +Rg

20% приведет к указа.»1»oìó изменению выХОДНОГО НаПРЯЖЕНI»Я. ПРН 4 СЛОВНН, ЧТО Рш На

2 — 3 порядка ме!!ьше R<Ä, эквивалентное сопротивление R, целиком определяется R не

15 зависящим от подсветк»».

Изменение R,», I»a 1 — 2 порядка вызовет изменение R,, не более чем íà 10%, т. е. выходное напряжс;ие потепциометра изменится не более, чем I»a 0,1%.

20 Таким образом, применение дополнительной высокоомно»»,нленк»», нанесенной на подложку и контактирующей с резистором н коллектором по всей I»x длине позволяет получать прецизионные фотопотенциометры что

25 обеспечивает возможность»»x широ or;> применения»» приборостроении.

Предмет изобретения

Прецизионный фотопоте»»циох»ет р, выполЗО пенный в ьнде нанесенных на диэлектрнче384145

Составитель А. Артюшин

Техред Т. Курилко Корректор Н. Прокуратова

Редактор В. Левитов

Заказ 2098/7 Изд. № 1593 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретенпй и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 45

Типография, пр. Сапунова, 2 скую подложку пленочных резистора,,коллектора| и коммутирующего их фотослоя, от.гичаюи1ийся тем, что, с целью уменьшения влияния изменения темпового сопротивления фотослоя на выходное напряжение, на диэлектрическую подложку н анесена дополнительная резистивная пленка, контактирующая одновременно с резистором и коллектором по всеи их длине.