Травитель для полупроводников

Травитель для полупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Цос :

l валент бмбг и<" " - - -"

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

385353

Свез Советских

Социалистических

Республик

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. Н 01l 7/50

Заявлено 22.Ч11.1971 (№ 1684923/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 29.V.1973. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 04.IX.1973

Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

УДК 621.382.002 (088.8) Авторы изобретения

М. П. Паршина и Г. В. Смирнов

Заявитель

ТРАВИТЕАЬ ДАЯ ПОАУПРОВОДКИКОВ

%С+С!> — ЯС!.,+С

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых кристаллов, например карбида кремния, для стабилизации поверхности кристаллов перед нанесением защитных покрытий и контактов, а также при изготовлении карбидокремниевых светодиодов.

Применение для этой цели газообразного травителя имеет несомненные преимущества перед другими способами обработки, в том числе перед травлением в расплавах щелочей.

Широко известен способ травления карбида кремния в расплавах щелочей, однако процесс травления невозможно контролировать с достаточной степенью точности, В результате нельзя снимать тснкие диффузионные слои, проводить селективное травление карбида кремния с использованием защитных масок, так как нет четкой границы растравливания около кр аев защитной и аски.

Известны газообразные травители для обработки карбида кремния, однако они имеют существенные недостатки.

Травление карбида кремния газообразным водородом возможно только при очень высоких температурах, порядка 1700 — 2000 С, поэтому этот травитель нельзя применять на различных стадиях изготовления приборов и для селективного травления, так как в настоящее время нет диэлектрических покрытий, стойких при таких температурах.

Как травитель для карбида кремния применяется также газообразный хлор. Процесс

5 травления идет с образованием четыреххлористого кремния и углерода:

10 11али гие углеродной фазы на поверхности травящегося крлсталла увеличивает время травления, затрудняет процесс травления, требует проведения допол. ительных операций по удалению слоя углерода с поверхности. При на15 личин углеродной фазы на поверхности невозможно точно контролировать процесс травления, что, в свою очередь, »е позволяет снимать тонкие диффузионные слои.

Цель изобретения — обеспечение селективного травления и точного контроля процесса, возможности применения травителя на различных стадиях изготовления приборов, а также сокращение технологических операций при травлении с улучшением качества обрабатываемой поверхности.

Поставленная цель достигается тем, что в травитель, которым является газообразный хлор, добавляется в качестве второго травящего агента вода. а в качестве газа-носителя вводится инертный газ.

385353

Предмет изобретения

Составитель М. Сорокина

Техред Е. Борисова

Редактор T. Орловская

Корректор Е. Талал аева

Заказ 506/1556 Изд. 652 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фнл. пред. «Патент»

Газообразный травитель для обработки карбида кремния и приборов на его основе представляет собой парогазовую смесь хлора, паров воды,и инертного газа. Концентрация хлора 10 — 90%, концентрация паров воды 0,1—

40 /о.

Травление пластин карбида кремния парогазовой смесью было проведено в температурном интервале 700 — 1200 С при различных парциальных давлениях хлора .и паров воды.

Получено, что при содержании хлора и паров воды порядка 10 — 90 /о, и 0,1 — 40з/р соответственно травление карбида кремния идет без выделения углеродной фазы на поверхности кристаллов карбида кремния. Применение предложенного травителя позволило исключить операции по удалению углерода, точно контролировать процесс травления .и благодаря невысокой температуре травления, обеспечить возможность селективного травления карбида кремния. В результате улучшилось качество и увеличился процент выхода годных

5 приборов.

10 Травитель для полупроводников, например для карбида кремния, содержащий газообразный хлор и газоноситель, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемой поверхности и повышения точности селектив15 ного травления, он содержит пары воды, причем концентрация хлора составляет 10 — 90%, а концентрация паров воды 0,1 — 40% от общего объема смеси, а остальное — газоноситель.