Датчик напряженности магнитного поля
Иллюстрации
Показать всеРеферат
! —
ОП ИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
»оюз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. G Olr 33/02
Заявлено 16.111. 1971 (№ 1639676/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытии
УДК 621.317.44 (088.8) Опубликовано 14.V1.1973. Бюллетень № 26
Дата опубликования описания 21.IX.1973
Авторы изобретения
Н. Е. Алексеевский, В. С. Егоров и А. В. Дубровин
Институт физических проблем им. С. И. Вавилова
Заявитель
ДАТЧИК НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ
СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ
Известны датчики напряженности магнитного поля для прецизионного измерения .и стабилизации сильных магнитных полей. Такие поля создаются, в частности, сверхпроводящими соленоидами и в настоящее время все шире применяются в различных областях,науки и техники.
Известные датчики напряженности магнитного поля обладают рядом недостатков. Так, например, при измерениях методом ядерного магнитного резонанса требуется довольно большой объем поля для помещения датчика.
Холловские датчики, как правило, в больших полях имеют нелинейные зависимости от поля и нуждаются в независимой индивидуальной градуировке.
Для повышения точности измерения и степени стабилизации магнитного поля порядка
100 к9 в предлагаемом датчике использован новый физический эффект, а именно осцилляции сопротивления монокристаллического образца металла, например бериллия (или алюминия), в больших магнитных полях, обусловленные так называемым магнитным пробоем.
На чертеже показан описываемый датчик в форме прямоугольного параллелепипеда, где
Н вЂ” измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле, I — измерительный ток, Š— напряжение, снимаемое с датчика, Со — кристаллографическая ось образца.
Датчик представляет собой образец, вырезанный из монокристалла бериллия в базисной плоскости и находящийся в ванне из жидкого гелия или водорода. Он помещен в измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле Н так, что его гексагональная ось Со параллельна направлению поля, а измерительный ток I через образец перпендикулярен полю. Напряжение Е, снимаемое с датчика, пропорционально его сопротивлению и измеряется обычным потенциометром, например типа
P 308.
Магнитное поле при помощи такого датчика измеряют следующим образом. В некотором, сравнительно небольшом поле Оо, осуществляется привязка градуировки, далее при увеличении магнитного поля измеряется изменение фазы р осциллирующей части сопротивления. Значение измеряемого магнит20 ного поля И определяют по формуле:
Н =.
Рт
Н, 2.".
25 где р=1/9,б 10 3 — период осцилляций в обратном поле.
Амплитуда изменения сопроривления датчика имеет тот же порядок величины, что и его сопротивление при комнатной температуре, а
З0 изменение удель-;îãî сопротивления Лр-5.
° 10 — олт см. Поэтому измерения магнитного
386352
Составитель Л. Устинова
Техред Л. Грачева
Редактор С. Хейфиц
Корректор А. Васильева
Заказ 2447/11 Изд. № 1654 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4,5
Типография, пр. Сапунова, 2 поля таким способом относительно просты и вместе с тем весьма точны, Например, сопротивление датчика в магнитном поле порядка
70 кЭ .изменяется за полупериод примерно на
ЗОо о (и более). Поэтому погрешность при измерении магнитного поля с помощью датчика из монокристалла бериллия, имеющего размеры 0,4+0,4Р,5 мм, и потенциометра Р308 не превышает ЛО/Н-5 10 — .
Для стабилизации установленного значения магнитного поля Н напряжение Е, снимаемое с датчика, компенсируется, а разностный сигнал усиливается и подается обычным образом через цепь обратной связи на регулятор силы тока через магнит. Отклонение магнитного поля от установленного значения приводит к появлению разностного сигнала ЛЕ, который через цепь обратной связи .изменяет силу тока, питающую магнит, компенсируя возникшее отклонение.
Предмет изобретения
Датчик напряженности магнитного поля для прецизионного измерения и стабилизации сильных магнитных полей, основанного на зависимости электросопротивления от магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения и степени стабилизации магнитного поля, он изготовлен из монокристаллического образца металла, например бериллия, охлажденного до температуры жидкого гелия (или водорода).