Способ детектирования ионов в вакууме

Способ детектирования ионов в вакууме

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

М

Оп И А"ЙИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕДЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12ЛЧ.1971 (№ 1645592/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 27ЛХ.1973. Бюллетень ¹ 38

Дата опубликования описания 28Л.1974

М. Ь,л, 6 Olt 1...24

Государственный комитет

Совета Милистрае СССР ва делам иэооретений и открытий

УДК 539.1.074,55(088.8) Авторы изобретения

А. М, Панеш и И. А. Мясников

Заявитель

СПОСОБ ДЕ 1 ЕКАЛИ СОВАНИЯ ИОНОВ В ВАКУУМЕ

Известен масс-спектрометрический способ детектирования ионов.

Цель изобретения — повышение чувствительности н упрощение процесса детектирования ионов в вакууме.

Это достигается тем, что в качестве детектора используют полупроводник .в виде окисного поликристаллического слоя, нанесенного на кварцевую подложку, Новый способ основан на принципе изменения электрофизических свойств (электропроводн ости, сопротивления) тонких полупроводниковых пленок под влиянием взаимодействия (адсорбции) ионов с поверхностью пленок.

Чувствительность предлагаемого способа по ионам составляет в среднем 10 — 10 ионов/смо в пространстве, прилегающем к пленке, минимальная чувствительность пленки в отношении поверхностной концентрации — 10",ионов/см2

Ионы благородных газов, попадая на по5 верхность тонкого окислительного поликристаллического слоя, изменяют концентрацию носителей тока в этом слое, что обусловливает нанесение их примесного сопротивления.

10 Предмет изобретения

Способ детектирования ионов в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и упрощения процесса де15 тектирования, в качестве детектора используют полупроводник в виде окисного поликристаллического слоя, нанесенного на кварцевую подложку.