Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния

Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

" е" "" --.ы

-"" с -Жеев те, с

Союз Советских

Социалистических

Республик

О Л

ИЗОБРЕТЕ Н И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Завис. (мос от ".âò. в:(детельства ¹â€”

3 ) 5113:ic",,,) 09.Х11.1971 (№ 1726137/23-26) . 31.Кл. В Ol j 17 18

I(Pit COO (:i ii l, С 3! ЗД ив)(ПI ¹ ——

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР

flo делам изаоретений и открытий

11рпор I Tcò

<)пм()л.i .(o!3 !! ..) 29.3/111.1973. !)!олс!Ст(111, № 36

УД К 669.046-172:546.28 (088.8) @(1òß 011»0.1 .1: О;>;l и:!,! л! Ii

ЛВТОР)!

ПЬЧ)()j)С!

Н, И. Блецкан, Л. Е. Ьерезенко и К. A. Мисюра

3 с(Я13 i С i!>

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Д,(я з I Л! Л II p:! (3ht 1) 10((! ы.> 3 л л i P il стсi ° 1 1 ЛВ > 1" (зан(30Й 01313<. Птаци !!

-:å,т!!чипу л;свого температурного градиента

В т()ердл!11 фазе поддерживают не больше

50 С, C.II. Пр:,(атом предот!)ращяется зярождс)iiC10Ii )il,:111, В CI3513II C (IC .

ПРЛ<ИЗВЛДПтс 11;IOCT; ПРОЦЕССЯ.

П р 3 I Cp .. > (о н О к р и с т а л л 1>1 к р е 3 н и я . О р и е и1 I I p 0 !3 1 i В н (l I < р Я 13л C i l > i <1 (1 1 0 ), 13 bi p 1 П и 13 с110 Т

i () l(3 ря опля Вя пл с1лхряс!1 с)гому с )оспо li зовя;(нем тепл; )лй;!iстeitti, сост(л5113(е!(Пз пягре,В Я те з 51 — — 0 и Р л T i! 13;I е it и 51 цил и) l д13 ич с с кои ф О Pмы !)ысотл(1 118 .(<л!(;! диаметром 1 <0 !!.??,;!?????? ()??!:, )i)hi x ii ??13> Х Ili)TO,!O×IIÛ., ЗКРЯ(НОВ, P1CÏO. Io(л> )ксl1111>lх I!(1 13ЫСЛ С 50 il 100 .1).ll ОТ IIOIICj)_#_I(OC Гil

Р;lс)1,1 1п

ЛЕЗД (ЕIЛК 1ПНЛП)!1>IХ 10!!ЛКРИСT I,ICIO!3 (. ЛСT i!l20 ляет Ж)(5(.

Спл. ()б получения оездислокаппонных»оно2В кристаллов кремния (3!.(тяг:пванием пз расплаi;;i пл i1охрял! скому с выращиванием участка монокрпстялля с .(;(яметром, меньшим дпамстРЯ 3! 13 ПРОЦСССЕ 13hlт 51 г и В

Зо от.г((г()г()гг(пг!(. г тем, с то. с Пел)по обеспечен;!я

1 !зобретепие OTliocIITc5(и металлург>!и .!ОлуПР 0 ВОДИ и КО(3.

Известны способы получештя бсздислокяцпонных мопокристаллов полупро()лдниклв

ВblTяги.!3 1!! Иp. с)(ВЯIО) участок мо:(окрпсталла с диаметром, меиьп(;!м

Дна<МЕГРЯ ЗатРаВКИ, и ПОДДЕРжПВЯЮт !)ЛОСК;(й (J)p01(T криста тс(изя111ыl.

Извест((ые c,!Iocoohl позволя(от Выводить д;!с;I0Кс1ЦИП НЯ <(013LP> IIOCTb PACT>, ЩЕГÎ ТЛ условие является необходи»ым, по педост;1ТОЧНЫМ ТЛЯ 3 CÒOÈ<1 ii (3051 ()oc(ЛСТИ бездислокацпонных монокрпсталлов с у((стлм особенностей пх роста в различных крпсталллграфических направлениях. Гак, например. лр<и выращива<нии мо!)окристалло(3 в направлении (110), в которых имеется группа плоскостей (111), параллельных оси выращивания, под действием термических, напряжений легко происходит зарождение и размножение дислокаций па пх конической и ц!(Пиндрической

Ч Я.СТ51 Х. 1ель изобретения — создание тепло )ых условий, обеспечивающих устойчивый рост бездислокационных монокриста!I loB кремния в направлении (110).

11:)с t».> г !злбрстc!iiili

396124

Соста!!г!тег!ь С. Полякова

Редактор К. Вейсоейи Тскред Л. Грачева Коррсктор Е. Хмелева

Заказ G507 Изд. ¹ l924 Тираж 678 Подиысиое

ЦНИИПИ Государствсииого комитег Совсга Чииистрои СССР ио дела!и иаоб!ретсгиг!! и открь!ти!!

Москва, )l(-35, Р<гу!иокаи и;!о., z. 4/о

Обт. тии. 1(острот!СКОГО уираи ie!«!и издательств, иог!и!рафаи и кииткио!! Торговля г!ездислокапионного .роста монокристаллов в направлении (110), величину осевого температу!р!!ого градиента в твердой фазе поддержива!от не болыпе 50 С/см.