Rc-структура с распределенными параметрами

Rc-структура с распределенными параметрами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ъ

ОПИСАЙИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

396726

Соеа (:оветских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19Л.1972 (№ 1739885/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29Х111.1973. Бюллетень № 36

Дата опубликования опиcàíèÿ 15.1.1974

М. Кл. Н 01с 3/00

Н Olg 3/17

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий

УДК 621.316.86:621.,319.

42 621 396 6 181 5 (088.8) Авторы изобретения

Ю. И. Аввакумов и И. И. Гришанов

Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения

Заявитель

РС-СТРУКТУРА

С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Изобретение относится к области микроэлектроники.

Известны RC-структуры с распределенными параметрами, выполненные в виде конденсато р а, об кладками котор ого служат резистивные элементы, .выполненные в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки. Недостатками таких структур являются недостаточные прочность и точность резистивных пленок, сложность изготовления.

Цель изобретения — упрощение технологии изготовления и повышение электрической и механической прочности изделия, что повысит стабильность и точность параметров RC-структуры.

Это достигается в результате выполнения резистивных элементов в форме двух параллельных множеств,ми кропроводов в стеклян ной изоляции, образованных, например, намоткой на подложку и разделенных так, что возможно подсоединение каждого множества к своим электрическим выводам.

На чертеже показана RC-структура с распределенными:параметрами, где 1 — одно из параллельных множеств микропровода в стеклянной изоляции; 2 — подложка; 8 — контактные зоны площадки; 4 — лаковое покрытие.

Элементами -емкости RC-структуры являются параллельные множества 1, расположенные по обе плоские стороны подложки 2.

Элементами сопротивления RC-структуры являются участки тех же множеств, расположенные между контактными зонами 3. Край множества без контактной зоны закреплен л аком. Предлагаемая RC-структура изготавливается по следующей технологии:

1) намотка микропровода в стеклянной изо10 ляции на подложку;

2) закрепление микропровода по торцам подложки, например лаком;

3) снятие стеклянной изоляции, например плавиковой кислотой, по контактным зонам;

1 4) заполнение контактных зон проводящим веществом, например припоем;

5) закрепление участков множеств по краю подложки без контактной зоны лаком;

6) снятие микропровода и закрепляющего

20 вещества по торцам подложки.

Предмет изобретения

КС-структура с распределенными параметрами, выполненная в виде конденсатора, оокладками которого служат рсзпстпвные элементы, расположеннь|е в плоскости подложки параллельно один другому, отличающаяся тем, что, с целью упрощения технологии пзготогления и повышения электрической и механпЗО ческой прочности структуры, резистпвные эле396726

Составитель Э. Гилинская

Реда кто р Т. Л арина

Корректор E. Михеева

Тсхрсд Т. Грачева

Заказ 3619/5 Изд. ¹ 1889 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр: Сапунова, 2 менты размещены по обе стороны подложки и образованы рядами отрезков микропроводов в стеклянной изоляции, параллельных одной из сторон подложки и соединенных с контактными площадками, расположенными в той же плоскости.