Фоторезистор
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 396756
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н 011 15/06
Н 011 7/08
Заявлено 06.Х.1970 (№ 1483393/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 29.Vill.1973. Бюллетень ¹ 36 УДК 621.382.002(088.8)
Дата опубликования описания 16.1.1974
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Авторы изобретения М. И. Корсунский, А. Д. Волчек, H. А. Ретивов и А. П. Тищенко
Заявитель
Институт ядерной физики АН Казахской ССР
ФОТОРЕЗИСТОР
Изобретение относится к фоторезисторам и может быть использовано в фотометрии, оптоэлектронике, запоминающих устройствах.
Известны фотосопротивления на основе аномально фотопроводящего (аф) селена, содержащие подложку из диэлектрика, на которую нанесены электроды из золота н сконЛенсирована пленка аморфного селена, полвергнутая затем воздействию паров ртути.
Максимум эффективной чувствительности таких фотосопротнвлений, переведенных в аномальное состояние, имеет место лля фоторезисторов, сопротивление KOTopblx прп комнатной температуре равно 100 †100 мего.я.
Естественно, что применение таких фоторезисторов в практических электронных схемах, особенно в быстродействующих, связано с определенными трудностями.
Активация ртутью фоторезисторов, солержаших золотые электролы, до сопротивлений, меньших 10 о,я, при комнатной температуре приводит к полной утрате фоточувствительности. Это явление обусловлено сушествованием в приэлектролных областях фоторезисторов с золотыми электроламп высокоомных (- 10 ом) нефотоактивных участков шириной около 1 мм.
Существование высокоомных нефотоактивных участков не позволяет также увеличить проводимость таких фоторезисторов путем сокрашения расстояния между электролами.
Установлено, что прн уменьшении расстояни51 между золотыми электролами ло 1 — 2 лтл ртуть не алсорбнруется пленкой селена. Аналогичное явление наблюдается лля фоторезнсторов, электролы которых выполнены нз металлов с работой выхола, меньшей работы выхола солена (например, А!, Ге, CU и т. д.)
Цель изобретения заключается в умсньшсто нип полного активного сопротивления фоторезисторов на основе аф-пленки селсна путем устранения нефотоактивных участков в прнэлектролных областях фоторсзпсторов.
15 Эту цель достигают использованием в качестве материала электродов металлов с работой выхола, большей чем работа выхода селена, например паллалия. У фоторезпсторов, солержащнх пленку аф селена, с такими электролами нефотоактпвные участки отсутствуют, что позволяет увеличить проводимость фоторезнсторов как за счет более ллптельной вылсржки в парах ртути, так и путем сокращения межэлектролного расстояния.
Прелложенныс фоторезисторы прн IlpOBOлимостп 10 — — 10 — ои — в охлажденном ссстоянии сохраняют достаточную (— 5) эффективную чувствительность и приголны лля непосредственного использования в нр 1KTll3р ческнх электронных схемах.
396756
Составитель Б. Семенов
Техред Л. Грачева
Корректоры: Л. Корогод и А. Николаева
Редактор В. Левятов
Подписное
Заказ 3608/10 Изд. Ме 1900 Ти.раж 780
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам, изобретений и открытий
Москва, 5Ê-36, Раушская наб., д. 4/5
Т ипография, пр. Сапунова, 2
Предмет изобретения
Фоторезистор на основе аномально фотопроводящего селена, активированного ртутью с электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины активного сопротивления при сохранении аномальной чувствительности, его электроды выполнены из палладия.