Кристаллизатор для гидротермального синтеза кристаллов кварца
Иллюстрации
Показать всеРеферат
пц 396913
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 15.04.68 (21) 993537/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл."
В 01J 19/00
С 30B 7/10
Государственный комитет
Опубликовано 23.06.82. Бюллетень № 23 (53) УДК 66.023.065. .5:532.785:
:621.315.617 (088.8) ло делам изобретеиий и открытий
Дата опубликования описания 23.06.82 (72) Авторы изобретения В. П. Бутузов, А. А. Шапошников, М. И. Голиков, Л. А. Гордиенко, А. Н. Ковалевский, В. Е. Хаджи, К. А. Зуева, Е. М. Цыганов, Л. И. Цинобер, Ю. A. Меньшиков и А. А. Бутэрус
Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья (71) Заявитель (54) КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО
СИНТЕЗА КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА
Изобретение относится к области химической технологии.
Известные кристаллизаторы для гидротермального синтеза кристаллов кварца содержат цилиндрический корпус с нагревателем и нижним и верхним герметизирующими затворами, внутри которого помещены контейнер для шихты, диафрагма и опорное кольцо для скалок, на которых расположены обоймы с кристаллодержате- 1р ля ми.
Цель изобретения — обеспечение постоянства сечения вертикальных каналов кристаллизатора.
Для достижения цели на обоймы укрепляют Г-образные пластинчатые кристаллодержатели, причем вертикальное расстояние между горизонтальными частями пластинчатых кристаллодержателей, укрепленных на одной обойме, находится в пределах
1,3 — 3 толщин выращиваемых кристаллов, а расстояние между вертикальными рядами кристаллодержателей берется в пределах 0,5 — 2 толщин выращиваемых кристаллов.
Для удобства компановки обойм в кристаллизаторе кристаллодержатели укрепляют на каждую обойму в один и в два вертикальных ряда. 30
В результате проведения опытов по данному способу повысился выход бездефектных моноблоков пьезокварца в 2,5 раза.
На фиг. 1 изображен предлагаемый кристаллизатор, общий вид, (термостатнрованпе корпуса не показано); на фиг. 2 — сечение А — А фнг. 1; на фиг. 3 — сечение
Б — Б фиг. 2.
Кристаллизатор содержит цилиндрический корпус 1 с затворами 2, создающими герметизацию, нагреватель 3, контейнер с шихтой 4, диафрагму 5. Кольцо 6, удерживаемое на внутренней поверхности корпуса
1, является опорой для скалок 7, на которые подвешивают обоймы 8 с однорядным набором Г-образных кристаллодержателей
9 и с двухрядным набором. Размещение обойм 8 с кристаллодержателями 9 производят так, чтобы конвекционные потоки раствора проходили бы между рядами кристаллодержателей по проходам 10. Кроме того, для лучшего омывания кристалла потоками раствора расстояние а между горизонтальными частямп кристаллодержателей устанавливают равным двум толщинам выращиваемых кристаллов. Для получения этого расстояния на вертикальные связи обойм между кристаллодержателями одевают разрезные втулки 11 из жести. Обоймы
396913 по высоте кристаллизатора могут быть размещены в один, два, три яруса.
Кристаллизатор работает следующим образом.
В корпус 1 без верхнего затвора 2 уста- 5 навливают контейнер с шихтой 4 и диафрагму 5. На кольцо 6 укладывают скалки
7, на которые подвешивают обоймы 8 и кристаллодержатели 9 по заранее выбранной компановочной схеме, соблюдая зазо- )О ры для проходов 10. Кристаллодержатели на обоймы собирают предварительно и для выдерживания необходимого расстояния а между кристаллодержателями на вертикальные связи обоймы надевают втулки 11.
Затем в корпус 1 заливают рабочий раствор, корпус закрывают затвором 2. При включении нагревателя 3 кристаллизатор нагревается и начинается процесс роста кристаллов. Благодаря диафрагме 5 и раз- 2о мещению обойм 8 и кристаллодержателей 9 с зазорами (проходы 10) конвекционные потоки способствуют эффективному росту кристаллов.
Формула изобретения
Кристалл изатор для гидротермального синтеза кристаллов кварца, выполненный в виде цилиндрического корпуса с нагревателем и нижним и верхним герметизирующими затворами, внутри которого встроены контейнер для шихты, диафрагма и опорное кольцо для скалок, на которых размещены обоймы с кристаллодержателями, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью обеспечения постоянства сечения вертикальных каналов кристаллизатора, обоймы с Г-образными пластинчатыми кристаллодержателями встроены в один и два вертикальных ряда таким образом, что вертикальное расстояние между горизонтальными частями кристаллодержателей, укрепленных на одной обойме, находится в пределах 1,3 — 3 толщин выращиваемых кристаллов, а расстояние между вертикальными рядами кристаллодержателей — в пределах 0,5 — 2 толщин.