Способ ориентирования базового среза

Способ ориентирования базового среза

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ъ .г

О П И С А Н И Е 397994

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслуьлин

Зависимое DT 3)3т. св !детсльства ¹â€”

Заявлено 29.XI.1971 (ЛЬ 1718956/26-25) .Ч. Кл. Н 01l 7, 64 с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано 17.IХ.1973. Бюл.1етснь ¹ 37 УДК 621.382(088.8)

Дата опубликования OH!ic3)!ii>i 20.Х1.!973

Государственный комите

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий

Авторы изобретения

И. В. Кириченко и М. А. Бушманов

Заявитель

СПОСОБ ОРИЕНТИРОВАНИЯ БАЗОВОГО СРЕЗА

НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКАХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при выполнении базового срсза )i3 монскристяллических слитках Гермяния и кремния в процессе производства интегра7L)Hblx схем, диодных матриц, планарных транзисторов.

Иззестные способы ориентирования базового среза (рентгеновский, оптический, пс граням на слитке) основа)ны на определен IH ли- )Q нии вы. Ода какой-либо крлсталлографической нлоскости на исходную плоскость,нлсокость пластины), перпс)ндикулярную оси роста слитка, и отсчитывании от этой линии угла для опред..лсния требуемой плоскости базового среза. Зти способы недостаточно эффет(тивны.

Например, способ ориентирования базового среза по граням на слиткс проще рентгс)новСКОГО и с .!тичсскОГО, HÎ Hp всеГдя прях!ениз), 2Q

В !яст!)Сети, д. )я слитков, используе !ых)з приборах:! 73 IBpHOk! ТСХН0.70T !H, BTOT С-. IOC00 Орне)!тирова IH!) базового среза трудно реализовать, 3) как все Грани,при этом сошлифсвываются. Кроме того, способ неприемлем )в случаях, когда выходы граней на слитке широкие например почти на всех слитках гсрзиания и на части слитков кремния, Целью изобретения является уменьшение трудоемкости способа ориентирования базово- 3Q

ro среза, упрощение, расширение диапазона

cr0 приме:!Синя (независимо от материала и формы слитка), упрощение реализации (без применения дорогостоящего и громоздкого оборудования и вредных химических и радиоактивных вещсств) .

Пс -TBHленная нс lb достигBPTcH Tpir, ITQ +7!l определения базового среза в качестве криС Т Я 1.7 01 P 3 ij) H I C С К 0 и П,7 0 С К 0 С Т И П Р! СН И М Я )О Т плоскость спайносTli, линию выхода которой на исходную плоскость определяют путем разлаа!ыв(1:.!И)! пластины приложением усилия к ее геометрическому центру. Ориентирование базового среза il3 слитке производят îтноси)ельнс лин ги разлома одной из частей пластины, совмещенной с первоначальным положс нием на слитке. Пластину вырезают из слип(е в .плоск сти, перпендикулярной сто продольной оси, толщиной 200 — 400 мкм.

На станке !7,.7!I резки слитков алмазнымн ,!ИСКЯМ)! ОТ С1ИТК OTPPBB)OT ПЛЯСТИНУ НУжисй толщины. Зат. 1 к геометрическому центру пластины, размещенной на резиновой подложке, приклядыва)от усилие. например, с помощью шарика индснтора, при этом пластина разламывается i!B,сектора по плоскостям спайности. Диаметр шарика инденторя составляет 8 — 13 .1!л1, толщина полупроводниковой 1173cтины — -200 — 400 з:)(з!. Подложка выполнена из ваку,lkIokr резины с шероховатой

397994 поверхностью.

На фиг. 1, 2, 3 показаны варианты разлома полупроводниковых пластин по кристаллографическим плоскостям спайности и выходы плоскостей спайности на исходную плоскость (плоскость .пластины). Так, на фиг. 1 представлен,вариант разламыван ия полупроводниковой пластины из слитка, выращенного в направлении (111), по кристаллографическим плоскостям спайности (111); на фиг. 2 — разламыва ние пластины из слитка (110) по плоскостям спайности (111); на фиг. 3 — разламывание пластины из слитка (1001 п» плоскостя.п (110) .

После разламывания пластины берут один из секторов (л сбой) и совмещают =,ã"î (например, с помощью следов от режущего алмазного диска) с его первоначальным положением на слитке (до вырезания пластин из слитка). gp

По юраю сектора проводят черту, которая является выходом,кристаллографической плоскости спайности на исходную плоскость. Затем, в зависимости от заданной кристаллографической плоскости, онносительно полученной ли- 26 нии .выхода .плоскости спайности ориентируют базовый срез.

Если, например. на монокристаллическом слитке кремния, выращенном в направлении зп (111), требуется изготовить базовый срез по плоскости (110), то он будет ра сположен перпендикулярно плоскости спайности. Для нахождения плоскости (110) перпендикулярно полученной линии выхода плоскости спайно- з5 сти проводят линию, которая будет являться выходом требуемой кристаллографической плоскости 1110) на исходную плоскость и, следовательно, линией выхода базового среза.

Параллельно плоскости (110) производят ба- 40 зовый срез на слитке или, в целях экономии материала, делают отметки по обеим сторонам линии выхода плоскости (110).

Если базовый срез необходимо изготовить в плоскости (111) на слитке (111), то в этом случае базовый срез совпадает с плоскостью спайности.

В других случаях ориентирование базового среза ведут,,используя известные значения углов между кристаллографическими плоскостями. Найденный угол откладывают от линии выхода плоскости спайности, и полученная линия будет являться линией выхода требуемой .плоскости базового среза.

Предмет изобретения

«1. Способ ориенгирования базового среза на монокристаллических слитках полупроводниковых материалов, в частности германия и кремния, основанный на определении линии выхода какой-либо кристаллографической

Ilëõê0сти на исходную плоскость, перпе ндикулярную оси роста слитка, от.гичаю ций;я тем, то, с целью упрощения аппаэатурной реализации способа без ухудшения точности ориентирования, а также расширения технологических возмо>к ностей, в качестве кристаллографической,плоскости принимают плоскость спайности, линию выхода которой определгпот путем разла мывания пластины .приложением усилия,к ее теометрическому центру, -.. ориептирование базового среза на слитке, с за ви симости от требуемой кристаллографической плоскости, производят относительно ли«ии разлома одной из частей пластины, совмещенной со своим первоначальным положением

»а слитке.

2. Способ IIQ п. 1, отличающийся тем, что пластину вырезают из слитка в плоскости, перпендикулярной его продольной оси, толщи н ой 200 — 400 мкм. »

397994

Фик. 1

Фие 3

Сэставитель Н. Островская

Техред T. Курилко

Редактор Т. Орловская

Корректор А. Дзесева

I инографня o 24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса — Знгельса, 14

Заказ M 893 Изд "о 1

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и

Москва, 3К-35, Раушскан

Тираж 780 Подписное

Совета Министров СССР открытий наб., д. 4j5