Стеклокерамический материал
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИС НЙЕ
ИЗОБРЕТЕН И Я
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено ОЗ.ъ .1971 (№ 1655822 29-33) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 27.1Х.1973. Бюллетень,¹ 38
Дата опуоликования описания 12.11.1974
М. Кл. С 04Ь 35!00
Н 01о 3/09
Iосударстеенный K0MNT8T
Сонета Министров ССьр но делам изаеретений и открытий
УДК 621.315.61:537.226 (088.8) Авторы изобретения
P. Г. Айнштейн, И. M. Веребейчик, В. И. Оделевский, В. Д. Пономаренко, Р. А. Роздова и В. А. Харченков
Заявитель
СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКИ и МАТЕРИАЛ сдельное ооьсмнос сопротивление р; ом см при 20 C
125 С
Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале температур 30 — 70 С, ТКЕ 10"-C —
10 е
10" — 5 10" — (1500 50) 10
1. Стеклокерамическпн материал,,чля кон
15 денсаторов, вклю а1ощпй керамический материал и свинцово-боросплш атнос стекло, отличаю цштга тем, что, с целью повышения удельной емкости конденсаторов, 0Н содержит в ка естве керамического матерпала—
20 титанат стронция прп следующем соотношении компонентов, вес. %: титанат стронция 70 — 75 свинцово-бороспликатное стекло 25 — 30
25 2. Стеклокерампческпй материал по и. 1, отличаю циси тем, что стекло имеет состав, вес. %:
Pb0 70 — 73
14 — 17
12 — 14
В Оз
S>Oz предлагаемого
120 †1
70 — 73
14 — 17
12 — 14
РЬО
ВеО
SiO2
12 — 15
16 — 20
Изооретенпе относится к составу стеклоксрамического материала, предназначенного для изготовления электрических конденсаторов различного назначения, в частности для гибридных интегральных микросхем.
Известен стеклоксрамкческий материал, включающий керамический материал и свинlUoâо-боросиликатное стекло.
Описываемый материал обеспечивает получение конденсаторов с повышенной удельной емкостью. Это достигается тем, что материал содержит 70 — 75 вес. % титаната стронца и
25 — 30 вес. % свинцового боросиликатного стекла. Стекло имеет следующий состав, вес. %:
Нике, приведены свойства материала:
Диэлектрическая проницаемость,при 20 С и частоте 1 Мгц, в
Тангенс угла диэлектрических потерь, tg6.104 при частоте 1 Мгц и температуре 20 С
125 С
Предмет изобретения