В п т б^м 2нт
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ 398709
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистимеских
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 20.IV.1972 (№ 1775222/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 27.1Х.1973. Бюллетень ¹ 38
Дата опубликования описания 12.111.1974
М. Кл. С 23g 5/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.79.02 (088.8) Авторы изобретения
А. П. Достанко, М. И. Пикуль и В. А. Зеленков
Заявитель
Минский радиотехнический институт
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК
Изобретение относится к технологии изготовления элементов радиоаппаратуры и может быть использовано при производстве подложек.
Известен способ очистки подложек, включающий облучение подложек ультразвуком.
Однако известный способ не позволяет проводить качественную очистку подложек от загрязнений и окисной пленки в условиях обычного рабочего вакуума непосредственно перед нанесением покрытия, что особенно важно при выращивании эпитаксиальных слоев и формировании низкоомных невыпрямляющих контактов.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 4 — 10 е мм рт. ст. подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 — 100 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин, а затем при 1200 †13 С в течение 1 — 3 мин, а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц, что значительно повышает качество очистки подложек от загрязнений и окисной пленки.
Очистка подложек производится в две стадии, следующие одна за другой, причем они обе осуществляются непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 4 — 10 6 мм рт. ст.
На первой стадии очистки подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 †1 кгц при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин. При этом с поверхности подложки удаляются загрязнения, не имеющие прочной кристаллохимической связи с ней, например пыль, остатки
10 кислот, щелочей, масла.
На второй стадии поверхность подложки, в котОрой распространяются ультразвуковые колебания, бомбардируют расфокусированным электронным лучом, сканирующим по
15 очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц, причем за счет соударений электронов с загрязнениями происходит их частичное удаление, а остающиеся загрязнения испаряются по мере нагревания подложки. При достиже20 нии 1200 †13 С на поверхности подложки протекает реакция: ЯОе, + $1Т 2SiO Образовавшийся SiO,. при этой температуре летуч.
Однако при давлении 10 4 — 10 е мм рт. ст. в вакуумной камере находится большое колиЖ чество кислорода, поэтому реакция протекает в прямом и обратном направлении с одинаковой скоростью, если процесс длительный.
В связи с этим для удаления окисной пленки кремния необходимо реакцию резко сдви30 путь в прямом направлении. Это достигается
398709
Составитель Г. Челей
Текред Е. Борисова
Корректор М. Лейзерман
Редактор T. Морозова
Заказ 551/4 Изд. № 1012 Тираж 826 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета 51инистров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 воздействием на подложки ультразвуковых колебаний прп 1200 †13 С в течение 1—
3 мин. 3а счет разности скоростей распространения ультразвуковых колебаний в кремнии и окисной пленке происходит частичное разрушение последней, в результате чего увеличивается активная поверхность окисной пленки, кроме того, введение ультразвуковых колебаний в подложку увеличивает ее поверхностную энергию. Сумма этих эффектов приводит к увеличению скорости образования газообразного SiO и к эффективному удалению образовавшихся мелких частиц Si02
Нанесение покрытия или выращивание эпптаксиального слоя начинается сразу же по окончании очистки.
Качество очистки проверяют по величине адгезии покрытия к подложке.
Предмет изобретения
Способ очистки подложек, включающий облучение подложек ультразвуком, отличаюиийс» тем, что, с целью повышения качества о 1псткп подлоукек от загрязнений и окисной пленки, непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при
10 давлении 10 — 10 в мм рт. ст, подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 — 100 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин, а затем при 1200 — 1300 С в течение 1 — 3 мин, 15 а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц.