Матрица

Матрица

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Й И Е -39

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Своз Советски»

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 02.111.1972 (№ 1755953 18-241 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опмб !If J

М. 1хл. G 11с 7 00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий

)(Д,(х 681.142.07 (088.8) Дата опубликования описания 4.1!.1974

Автор изобретения

H. В. Сдатчиков

Заявитель

МАТРИЦА

М а т р и ц е1 I I p c, (112 3! 1 2 ч с н 2 дл 31 II o L T p o c f l H я оконечной ступени д HI!I(j)p2TOJ)2 сисгсмы Hhlборки быстро,!сйствующих запоминающих

УСТРОЙСТВ.

Известные устройства такого типа I!pc;icò2!3ляют днухкоординатную матрицу, H каждо« нсрсссчснис которои включены транзисторы.

Базы транзиторов объединя!огся Hî с!рок!!)!

Х-шинами, и эмиттсры по столбцам У-шинами.

I-12 Груз ки, 13 I 2cTHÎ(. число!3ыс линии на копитсля ЗУ, подключаются к коллекторам транзисторов матрицы и общей шине. В транзисторных матрицах большого объема коорДИН2ТНЫС ШfltfЫ В(Д )"! С(. ОЯ КаК Д.тИННHI(. . Лl!IIÈÈ, 1 0 1 ОРЫЕ СОГЛЯC(, ЮТCß С Г10Х(ОИ(ЫО СОПРОтнвлснпй, равных волновым сопротивления)I

HT1fX ШИН.

Недостатком известных матриц, раоотаюн(их на схl кости)> fo на Гр ) 21(), яв 1 я«T«я (, вс. (и чснис длитс ihiioc i if Hj)cxfcii» спада ff)II!3 ль 2 тока 13 нагрузке после запирания 13hl()j)2HHof ) транзистора ма (рицы. Применение для ускорения псрсзаряда емкостей нагрузки дополнительных соцроTИ!3лсни11, подк.(!к) !енныx к коллекторам Гр21!зи« 1 оров ма l pHLIhl, )!3сличи наст 1 Ок, Г!рот«к((юн!ИЙ через От! .рытыЙ Tj)HHHH«10() матрицы, и прн малой (нлнчинс дополнительного сопротивления значительно у!3«Г!и !н!32«) монн ость, расс«и!32«му!о на транзисторах, что

13 консч Ho il (. I « I i сllH ж 2(>т !12:L(жll() Tl) р або Гhi

1() t! !1311(TO()! I 0 f1 )i 2 ГР1! II Ы.

Цел to»з()брег(и) !я- — j.)2;3p;I()i)It(;t т;(кой марицы, которыя при работс на смкостную на5 Грх зк; или 13 p()f(I!)I«н(!(hi IH. I If SI o()()(п(.<01!3 2ë) П )< Ь С а H hl () J) 2 H H 0! i

) -IHH0(, 2 ГJ) 2НЗ!1(. ТО() Ь! )! (11 J) H H h! J)

10 )1и!!Ихlа. lьнхlо x!0H!110(Г1>, «>. Iloiihl Ill

С ЭТОИ ЦСЛ!>10 -ни!На)! )! <1 1 РИЦЬ! IIO, JI(, t!ОЧС-!

I Ы 023! ГP 2li311«) ОPO!3> Э)1 H TÒ«j) Ы КОЗ 0)) Ы X ЧC

РС 2 ДИОДЬ! (О.I!l Н(ЧI Ы (. 1.0ЛЛ(К ОР 2.

15 Тр 2 HHHcTop 013 )12 LJ) I IHhl, l 1 отl, I i I(l oj) ht в. ll0)10гательных (ранзис!Оро!3 и сог.IH«(lof !Ill«резисторы — к шин«!iг!Си)го Hoг HIIH

Матри!Ьа ll2 !с Гh!J)c hhlxi):1(! нр(д«ганл«на и;( !«Ртежс, Hooj).IH)!а! И<1 я <> -Hilt li;i j; 1(ooj) IIII!2 Г20 ная 1>-шина ); «oãc!2«ótOIIIH(. резисторы 3, вспомогit 1«)Jt,ít>tL транзисторы 4; о lloHHHI« транзисторы 5;;i! f0;I ы 6; нагрузка 7; o() LIIH > шина 8; резисторы 9, шина lfc) 0«Hiii a ск!Сгцсния 10.

25 Транзисторы 5 матрицы объсдHllclil>l по строкам .) -шинами 1, по столбцам 1>-шинам 2.

Координа Hhli. . ) -Hilt llhl «Oã(fit«0!32Hhl с 110)tOLHhIO pi>21! « 1 0() О!3 9, !(01 0() hl«ио. (кл(оч )H hl шине 10, нот«в!и;!ал (. 1, которой Hp(дотвра30 щ2eт чf)(. з)1(>plloi. ))бр;lп10« i )1(11((нlli< н(р(xOд t

399004

Рея;п(тор Л. Цветкова

Тех ре,l Л. Гpa l. sa

Корректор Т. Добровольская

Заказ 125/15

Из;1. М !9150

Т р;)(575

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 база — эмиттср невыбранных транзисторов 5.

Координатныс Y-шины 2 согласованы с помощью рсзисторов 3. Нагрузки 7 подклlo÷ñ!» I к коллсктора т! Тр 111131fcTopoll;) и !(Ооигсй ш и нс 8 с потсициалом Up, к которой такжс подключены согласующис сопротивлсния 3. Базы вспомогатсльных транзисторов 4 сосдинсны с шинами 2 и согласующими сопротивлсниями

3, а эмиттсры транзисторов 4 чсрсз диоды 6-с коллскторами Tp3II3HcTOJ)OII 5.

Н3 ка!)кд 10 l(OOJ),IIIIIBTII) 10 У-IIIIIIIX 2 XIHTpffц ы и р l I х О д ! 1 с я 0;1111 (,до и О л 1! и т сл ь11 ы и T p а 113 и— стор 4. Диоды 6 выполняют функцию развязки. Коллекторы транзисторов 4 подключсllh! к шина 8, являющсйся общсй для вссх нагрузок матрицы, Работа матрицы !происходит слсдуюпгим ооразом. При подачс из выбраиных Х-шии 1 разрсшаю!цсго потснциала или импульса и подачс затем в одпу из выбранных Y-шин 2 импульса тока происхо,чит включснис связапн:,)1.о с ними !рапзистора 5 и через coo!Ilстствующую нагрузку 7 прохоzlf! импульс тока. Во врсчя llpoxo)«ac!I»» тока чсрсз траизистор 5 все транзисторы 4 остаются закрытыми, так

I(3K IfX 3l!»fTTСрпыС псрсXO;Tbl H,, Tffo Ihf 6 СXI(щсны и ооратном направлении. Послс окон13 ния действия импульса в координатной Y-шипс 2 соответствующий тpcllfoffcTop 5 запирасгся и иа сгo коллекторе устанавливается потснII!f3 JI Уо 001110 ц»»! ы 8, I 13 CT3 OCT!! п()тсиц,1,!. земли. )то происходит в рсзуль!асс того, что связанный с IIIIII транзистор 4 открывасгся и через исго происходит быстрый заряд смкостсй нагрузки 7. При работс транзисторов 5 в рс)киме насьпцсиия открываш!с транзистора 4 способствуст быстрому коллекториому рассасыванию нсocffoBIlflx носителей в базе тр311зистора 5. Траизистор 4 открывастся только !10 врсмя заряда! смкостей иагрузки 7 и форсиро-!

l3!1!IoI. рассасывания исоснofsff f fx носитслсй выбра!!!!ого транзистора 5, когда за счст раз-! ости псггенциалов на соотllcтствующих выбранных и!инс 2 и коллскторс транзистора 5 эмиттсрный псрсход тра!1зистора 4 оказываетС 51 С М С 1Ц С и В Гl Р Я М 0 М I I 3lf1 P 3 If Jl 01111 È .

Таким образом, при смкос!ио1! нагрузке и при работе транзисторов матрицы в режим. наcыlöåíè51 увеличсш;с бысчродсйcTIfия д0cтигастся бсз дополиитслы10го увеличения расссиваемой мощности и осиош!ых транзисторах матрицы. Транзисторы 4 могут быть маломоп1ными.

Предмет изобретения

Матрица, содержащая транзисторы, базы и эмиттеры которых соединены с координатными Х- и У-шинами, а коллекторы подключены к нагрузкам, и согласующис резисторы, отличаюи1аяся тсм, что, с целью повышения быстродсйствия и надежности работы матрицы, оиа содср)кит вспо»ol а le÷üffûå транзисторы, базы которых сосдиисны с координатной У-ши-!!ой, эмиттсры чсрсз диоды coc;11»le!Ill с коллскторами oc«of!!!1 транзисторов матрицы, а ко Iлскторы вспомогатсльных транзисторов и

Ill!I!le нулсвог0 потснциала.