Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

>()()0(3

il(! J!, l!()l«i ilC ОМ IC Г 13Ы.>«с)п

:I H(T П ПТСPCC i!0;>() > )К (СIIII((() ОТOI!

I JCT0!lllllK(7)i (. !3СТ» 0! .Ñ! (Л < )Еп 1 ь 11!I. И)ГII()i! 3

Рнтlli!51 ii)!Н) Л; «И»5! .1;!МИ» i «Ill>IIIJKII, .;0<()Рс!,!

cicJ)c > ««ñT0òJ) t(J);!per, н(«) щп!1 !!Ii((70(7 .;:!!II(к), ч«рсз корпус;и "0эxilli «иоипог0,1èîда и сетч»Thll! <1 il07, I3()3,!СПСТ!3МСТ (()СТО".i(il!) (,IOII OKil< ll

>1)1> ); <5! to

Гc. t l I «,7() H Ое.. I;. «<н i! I 5: Об.1м<1<) Tc)I I I IITcll(НГПЫ7! ИОТОЕО(! (()ОТОНОВ, ПОСЛРДИПС Г I()!iP, !ОТ

li3 ОЕПСИ Э 1C ÅÒP()lihl, i>OTOPhlC VXO. 1!IT ПО;(;(СИстг(e».; -7, iñhòðè:ñ(кого ii(ля ii;i анод. В рсзул!>—

TcтЕ СЛОИ . !00 IIPIIOOPPTHPT ПОЛОжнтСЛЬПЫй ) ) заряд и электрическое поле меж,ду I:Hê«ë(H)îé подложкой п окис)яо существенно возрастает, Это пол с снособств) T пе(7 xo;(l 0T, (с. l i>il i>i x электронов пз подложки через изолпрующ,ю

T0I I K)<1О НЛ Си К1 ОЕП «It 7I CTc) „IЛ а ПО;(Л 0)Е. I 13 ело!! of

1i(;;l,1ОЖ1<><, < СКО!)Я!ОТС51 II07CX! II, «Та;(ЕП!3»5:CI> С

Чсl«ТНЦ IX! II (flPII ДВII7KPIIIIII В ПОР». ), « I()iiii»IOT

I3T()pl!Hi)l>1C э, <СЕТроl ьl. Окись 1!с!ГH!ikf 0;IIIT(H (Л 5 ЭТОГО Е»ТО !» !") (ЬЕО IIOTOX» ЧТО i) (СС Г бо«11>Ш ОЙ ЕОЭ(I,ф l! Цl! 0 I I Ò ВТО p !! !110 Й э!

ВТО ) IIЧ И ЫС 3.1CKTpOII I>I c! II!i) Ill>cl IOТ слс.(у ощис электроны и т, t. В слое о:ПИНОС 1 МИОЖСIII!Ñ ЭЛ(ЕТ()0НОП, ООЛЬШ»>1 !et«Th КотОРЫХ ХО lifT l c!!IO;I,, cl

1! СИ ЬШ !) 51,) 0KO If L) IIII If (7VCT С ИОЛОЖ Н ТС«! Ьl! I>I )! I l попс!!<(и. В КОИЦС КОИ(ОВ МCT ЭМ flC(. ilil ЭЛСЕТПОНО!3 С Е»ТО I cl. Il Il PO1)с«с п01„1cð)I

Бо Врсм5! -)31п««ин к ITO 0«ст(гг«H 0.(сдпогол убым мерцающим светом. 3 »3)нснмость тоК cl ОТ П сl I! P Я ж С 1! !! 51 С X С Щ С Н!! Я,1 0 Г а P I! ((7

При паиряжcl!Ill! cмсщсиия (80 — 200 в достиГcl CTC51 ПЛОТНО«1 ь TOK cl ДО (О,!1((/С,li . H(!K f) 3 c) f 0, ITo при плотно«тfl тОЕ» пссео.! ько IH llл.1иам пер и» квадратный с»итимстр диод xio;i IIPI !00 P

Д(I! cт()ИЯ, II0100II hix они«!>И)асмо Й i f clTP! I! Ic, 1 I a g) !i! . (ii30U(7 cl Ж(.(!el II ()! !!Ill f1 IIII <).:I «« !151 C Сма предл;)гаемой м ITpIIL(hl: иа (()Ill» 2 ItOK»3»H»

ТИНОВ»Я 3»(3I(C!» !OCT1> ПЛОТИО« 1 П ТОЕ» OT Ii

Л ОД и Ы М 0 Е И «Ь - М сl Г I I I I C (3 hl II Е а ТО 10 1.

;»

Матрица имеет их()диыс 1 li ()ых07цн(с 2 lilliн ь! . 1><а)е. (<7 51 (.с Я <(с 1 1 K с! 1! <1 )1 Ятн сод(P 7Е пт 7 ц3;!

ПО<11 > н(70ВОДИИКОВ>ых Дполс(<) ii 4, сосДиис llll IЯ х аи01аxlii ме7кд > собой п с еатодом ) аВтоэ lll(с(юииого диод» 6. Диод 6 имеет, кроме того, (I p 03>p»l l l сl I IO<)(> И СТСКЛ Я Н Н Ьl Н 1!си<>ум )! II Ьl! I баллон о .."<НО>(ы Всеx автоэмп ciIOfllll>ix;Iiio:((н; подсоединены иосредстгом шины 9 к источи(!—

1 0 kl » t l p 5l )f< c (I!I 5I (. м е и ((> f 1 i l 51 + <> . J I I o. I i >f ) I I 1 ! „ Ж (Ой 5! Ч(II K . (Ili! («ОС:(И И«И l>l Е !3 <О. Ц l()i I I! >l l- !;) хо.,иой шпи»м. Ячейки «клю (сны во В«сх точ.:. ix. п«рсссчения шин.

В IICXO;jfIOXI СОСТ05пl и Il ЕсlЖДсlЯ ВХОДН»Я Шип а срез электронный переключатель 11 (показан услОВИО) с!>(С!цает«51 нап(7яжением — V2 истОчнпка 12.

Если сигнал дсшифратора (не показан) возбуждает переключатель 11 (нижний на фиг. (), последний подключает входную шину к наиря)i

IIcI фпГ. 2 ПОК»З»па TIIIIOBc!51 Завп«ПМО«П

Ii;IOTIIOCTII T0K;1 OT Н»П()ЯЖЕНПЯ СВIЕЩСННЯ (c! сlВТОЭ7!ИССПОНПОГО IIIO. I», П!ICIOI!t !5I ЛОГH()II((77»II

ЧС«1сlЕОИ, П()и псп((751)I

П 101(tали Еc)TO (il НО(75!ДЕ<1 (.i!!i )(???????? ????????i>

T0К 13 Не>CЕ(), 1ЬЕО;ICС HTKОВ М I! КРО<1 М ПСJ). СЛС.(Овател!Ии),;(IIOäû 6 могут быть довольно,l!IIIII;IT !OP i(h»1 i!.

Тс 1:3;tilo;iui 6, которые были прсдваритсл— ио ио3.)ó)K,tellû 1!мпульсом светл. Ировo7ят

T0I< i 0T ИСТО IIIIIKcl 10 IIO IICf ill: ДIIO:1, <), Входи )Я

ttIllIli), (ереключатсль 11, источник 12 напря)е С I I I I 51 — (>. Д п О I, 4 3 сl е р ы т I l c) i i p H æ ñ н п с 1! (<> .», Г.!С (.с 3 — Ii i) 1СИИ(п 1Ilp5IH<Снн5! f1

Если

V:з — иаиря7кение отсечки 7ц(ода 5.

П()п c Illò lliill! !III c).7cKTpOillll ill ел!Оч 11 (IlilИ () II Iles(), II I!7K IIII II ) НС(7 СЕЛ ЮЧ а TC51 « i! l llilKcl 12 if» н<п((75(Ж !!!i(. + V

IICT0×iiiiÊ» И. (()K (1)е lliclllll» ЕГО ИР»КтПЧЕСКИ

II(i II37fciI5!cTcH) псрсклк)чается в цепь: диод 4, 13l>IXOÄJIIc75I Ш 1 1 II <1, р СЗ! ICTOp 1 ). 1 I<)i!!) я ЖСИ И(+V ПО !3С1п IИИС ООЛЫИС, Ч()! (7I)l» Iiil;IC IIIIII

Напряжсн! и На;(ПОдЕ 4 i! рези«тире 1<1, ii07IO:И(О I >, ) Е J ) Ы !>»(. Т(51.

I I » р(. :3 И«TO()C. 1 1 !31>IДСГ!ЯС! «Н и )IIIV, Il>C ll тех я !сек, у которых авто=)миссионнный 1!!0;! .(е ировод((т, сиги()л itа резисторе

II(. Выделяет«я (может быть помех» II 3(l смеост(I I I I 0, 1 v(i POÂoäíl! KOH û х . и(JO!3 ) . 3TO «ОC T O H I I i I (С 0 () Т В (> Т С Т 13 УСТ C cl I I T;) I I I I O;< I ), t «0! I < i! I () 7 I ), I I) Л!О.

ЦСН НОСТЬ ПРИ:<|СНСIIII)l си)ТОЭ: П««ПО ИНЬIХ;Ц(О (ов 3» I<:I I;(CT(5l 13 l303 1107Е! ОС I I 1 I ", ГОT()!3;l (.11! I Я

Il llT(. I J) <,,l l I l()if I Tcl K! I X Ill(), LО< «0() ll(fl 71

» il() !()1;. (J i) (,()l l Т ll :3 () () () (. I ll ll H

< ( а, СОI(PiK» I! jc! 5! I I 0P(((.!

НЗЛ < !С! Ii! )I, ВК 1 Ю (СII I I l>l. >! 1!()КДУ IICTO! Х МС)К.(>>

Ill I li » I i l i! I(7 (i (О!3» Г(. . 11>ll() il(! J) Cil li(), О! .) i!

З 1ИП

»Yg (:»г гiiв > ге, ii Р. Яворск<(я

1 екр>а Л. Грачева!

> (;>к)(р !. Юрчиков((!

;ороектор Л. Орлова! >.(, » l 9-)8 ир .)к 576 I(>;(ffff> ff,)

I! II ll ll l! I I, ",:!,)>)с(>е!!(«>., к >):>i>ага Сове гг >l>i."ис;ро>) С(:CP г(е.)ач и»)о;)е(епкй f! откр>()г.(й .>((>ек.::i. /!>;,>, .,!!!Г! г>в >(а(1.,:(4 о! (> к:> i 7() 7 .:

)О, i. i:>ii )>о(г >i>\: i>;» \ ii;» вв. I> i>i ii; > ) гег);>(Tii, ii >(ol»".Hmifif к f(ffif)f(fioii г();.)> >)в,fi>

ЩЙЯСЯ ГЕГ>), >ITO, O )(СЛ )О if()I! I>fill>. .I; i >: I i!;;(КИ> сти работы уст!)оиства, ирис)и(и)(!I.к1i ILIIII) . выполнен в вид(()!f(тиби Il>I!of.o,,!(I)(к,ц(».;). ) ;!)с! >си:. I,>)o,"o;IIII!>ñ(«остолиие излучением л((миы воf f! I!II If, автоэмиссионного диода с хо. .oil!I, . oKIIcI,-маги)гевв)л катодом.