Способ выращивания тугоплавких монокристаллов

Способ выращивания тугоплавких монокристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 403235

АВТОРСКОМУ СВИДИТ6ПЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву— (22) Заявлено 08, 0? 71 (21) 1619337/23-26 с присоединением заявки № (51) h(1(л В 01

Государственный комитет

Совета Миннстраа СССР на делам нзобретеннй и еткрытнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.0р.7 бюллетень №15 (53) УДК 54Я.55(088. l (45) Дата опубликования описания09, 09„76 (72) Авторы изобретения

Н, П. Катрич и Б. Л. Тиман (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ а

Изобретение может найти применение в радиотехнике, лазерной технике и т.д.

Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торца затравки и подачи на него порошкового сырья. Такой способ исключает возможность получения особо чистых монокристаллов из сырья технической чистоты.

Цель изобретения состоит в повышении чистоты конечного продукта, Это дости 10 гается тем, что кристаллизацию Ьедут иэ расплава толшиной не более 5 мм при скорости роста, не превышающей 1(Т см/сек.

Пример 1. Кристалл вольфрама вы» рацивают из сырья с примесью титана. Я

Толцина расплава 0,5 мм, скорость криста лиэации 10 cM/сек. Количество титана в

3 исходном сырье 0,1%. Концентрация титана в выращенном кристалле 0,0001%, т.е. в

1000 раз меньше, чем в исходном сырье. 20

Пример 2. Кристалл вольфрама вырашивают из сырья с примесью титана.

Толцина расплава 5 мм, скорость кристаллы4.% 2 эации 10 см/сек, количество титана в исходном сырье 0,1%. Концентрация тита- 25 на в выращенном кристалле 0,001%, т,е.

Г в 100 раз меньше, чем в сырье.

Таким образом, с уменьшением толпнны расплава H cK opDGTH крис,.аллизации pффек» тивность очистки от примесей увеличивается, Предлагаемый способ обеспечивает высокую степень очистки монокристаллов от примесей и позволяет легHpDBBTb монокристал лы добавками по заданному закону путем изменения толцины слоя расплава и скорости роста в процессе выращивания монокристал ла.

Формула изобретения

Способ вырешивания туг оплавких м онокристаллов в вакууме путем расплавпения торца затравки и подачи на него порошкового сырья, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты конечного продукта, кристаллизацию ждут из расплава толшиной не более 5 мм при скорости роста, не превышаюивй 10 см/сок.