Патент ссср 410271

Патент ссср 410271

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 41027l

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 31.111.1972 (№ 1765749/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 6Х.1974

М. Кл. G Oll 9/14

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изааретений и открытий

УДК 537.787.91,(088.8) Авторы изобретения

В, Н. Алексеев, IO. И. Мартынов и В. Н. Трофимов

Заявитель

ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМИ

ПР ЕОБРАЗО ВАТЕЛЯМ И

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к датчикам давления с магниторезистивными преобразователями.

Известные датчики имеют малую чувствительность, что требует применения чувствительных элементов с большим ходом для получения значительного изменения магнитного потока, пронизывающего магниторезисторы, и большого уровня выходного сигнала с датчиком, Кроме того, наличие в них больших сил механического магнитного поля на чувствительные элементы сильно уменьшает точность датчиков, Цель изобретения — повышение чувствительности датчиков давления с малым ходом чувствительного элемента, увеличение точности, повышение устойчивости к действию вибрационных и линейных перегрузок, увеличение их собственной частоты. Это достигается тем, что магнитная система снабжена дополнительными магнитопроводящими секциями, соединенными с магнитопроводом через магниторезисторы, расположенные в плоскости, перпендикулярной плоскости рабочего зазора, образованного двумя поверхностями матнитопроводов и дополнительными магнитопроводящими секциями, а концентратор, жестко связанный с мембраной, имеет толщину, сравнимую с толщиной магниторезистора.

На чертеже изображен предлагаемый датчик.

Датчик состоит из корпуса 1, мембраны 2, магнитной системы 3 и концентратора 4, при

5 этом рабочий зазор магнитной системы образован торцовыми поверхностями магнитопроводов 5 и 6 и дополнительными магнитопроводящими секциями 7 и 8, соединенными с магнитопроводами через магниторезисторы 9 и 10 таким образом, что торцовая поверхность магнитопровода 5 находится прот.IB дополнительной секции 8, а торцовая часть магнитопровода 6 — против секции 7. Концентратор 4, жестко связанный с мембраной 2, расположен

15 в зазоре магнитной системы и имеет толщину, сравнимую с толщиной магнпторезистора.

В зависимости от положения концентратора, верхнего или нижнего, магнитный поток пол20 постыл протекает либо через магниторезисторы и дополнительные секции, либо через торцовые поверхности, минуя магниторезисторы.

Датчик работает следующим образом.

Измеряемое давление, приложенное к мем25 бране 2, перемещает в зазоре магнитной системы концентратор 4, который управляет магнитным потоком, создаваемым магнитной системой 3. При этом в левой части магнитной системы поток управляется следующим обра30 зом. Если концентратор 4 находится против

410271

Составитель С. Непомнящая

Редактор О. Филиппова Техред 3. Тараненко

Корректор Т. Хворова

Заказ 1037/9 Изд. № 362 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 торцовой части магнитопровода 5 перед магниторезистором 9, то магнитный поток полностью проходит через торцовую поверхность магнитопровода 5 параллельно магниторезистору 9.

При подаче давления и перемещении концентратора вверх, в сторону дополнительной секции 7, часть магнитного потока, искривляясь, проходит через магниторезистор 9. При дальнейшем перемещении, когда весь концентратор будет находиться за магниторезистором, против секции 7, весь магнитный поток соответственно будет проходить через магниторезистор 9. Аналогичное управление потоком происходит в правой части зазора магнитной системы при перемещении концентратора вниз. Таким образом, при толщине концентратора, сравнимой с толщиной магниторезистора, перемещения одного порядка с толщиной магниторезистора позволяют создавать большие градиенты магнитного поля по всей площади магниторезистора, т. е. обеспечивают высокую чувствительность датчика.

Предмет изобретения

Датчик давления с магниторезистивными преобразователями, содержащий корпус, мембрану, концентратор, магнитную системы и магниторезисторы, о тл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повышения чувствительности дат10 чика, увеличения точности, повышения механической устойчивости, магнитная система снабжена дополнительными магнитопроводящими секциями, соединенными с магнитопроводом через магниторезисторы, расположен15 ные в плоскости, перпендикулярной плоскости рабочего зазора, образованного двумя поверхностями магнитопроводов и дополнительными магнитопроводящими секциями, а концентратор, жестко связанный с мембраной, имеет

20 толщину, сравнимую с толщиной магниторезистора.