Патент ссср 410531

Патент ссср 410531

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4I053I

Союз Советск а

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 31.111.1972 (№ 1765839/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 05.V.1974

М. Кл. Н 03h 5/00

Н Olf 15/18

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий

УДК 621.317,44 (088.8) Автор изобретения

Д. М. Щербина

Заявитель

ИНДУКТИВНАЯ НАГРУЗКА

Изобретение относится к области электроники и может использоваться в качестве нагрузки усилительных каскадов и приемников излучения с большим выходным сопротивлением и других двухполюсников.

В известных устройствах, где требуется большое сопротивление переменному току и малое постоянному, используется индуктивная нагрузка. В устройствах низкой частоты катушка индуктивности имеет железный (или другой магнитопроводящий) сердечник, который может насыщаться при увеличении постоянного тока в обмотке устройства. Недостаток такой нагрузки заключается в том, что при большом динамическом диапазоне входного сигнала и связанным с этим изменением постоянного тока в обмотке, изменяется также величина сопротивления, что препятствует проведению точных измерений, а также ведет к нелинейным искажениям. Известны также дроссели насыщения, в которых помимо рабочей имеются две одинаковые обмотки, через которые протекает выпрямленный ток.

Однако выпрямленный ток вырабатывается специальной схемой и поддерживается не постоянство индуктивного сопротивления дросселя, а постоянство выходного напряжения.

Цель изобретения — создание индуктивной нагрузки, величина которой не зависит от режима работы двухполюсников. Это достигается тем, что в цепь нагрузки включается чувствительный к постоянной составляющей тока элемент с малым сопротивлением, например переход транзистора база-эмиттер, который управляет исполнительным элементом в цепи компенсационной обмотки, например переходом транзистора коллектор †эмитт.

10 Благодаря этому в сердечнике индуктивной нагрузки возникает магнитный поток, равный по величине и противоположный по направлению потоку от постоянной составляющей тока двухполюсника.

На чертеже изображена предлагаемая индуктивная нагрузка.

Двухполюсник 1 с источником питания 2 включен последовательно с сопротивлением

20 нагрузки — обмоткой индуктивной катушки 3 и переходом база эмиттер транзистора 4. Компенсационная обмотка 5, намотанная на том же сердечнике, что и обмотка 3, включена последовательно с источником питания 6 и ne2s реходом эмиттер — коллектор транзистора 4. Переход транзистора база — эмиттер шунтирован конденсатором 7, чтобы не пропустить переменный ток в компенсационную обмотку.

Постоянный ток двухполюсника 1 протека30 ет через переход база — эмиттер транзистора 4, 410531

Предмет изобретения

Составитель Л. Устинова

Редактор О. Филиппова Техред 3. Тараненко Корректор Л. Орлова

Заказ 1023/13 Изд. М 365 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )K,-35, Раушская наб., д. 4j5

Типография, пр, Сапунова, 2 а переменный — через конденсатор 7. Постоянный ток усиливается транзистором 4 и питает компенсационную обмотку, число витков которой подобрано так, чтобы ампервитки обмоток 3 и 5 были равны и противоположны. Так как в широких пределах усиление по току транзисторов не зависит от тока, достигается почти полная ко :пенсация и динамический диапазон индуктивной нагрузки с компенсацией составляет около 2 —:3 порядков. Транзистор может быть и составным, что позволяет подбором отдельных транзисторов получать требуемые характеристики компенсации (недо и перекомпенсацию).

Индуктивная нагрузка, содержащая индуктивность с сердечником и компенсационную

5 обмотку, отличающаяся тем, что, с целью поддержания величины индуктивного сопротивления неизменной при колебаниях постоянной составляющей тока, последовательно с нагрузкой включен чувствительный

10 элемент с малым сопротивлением, например переход транзистора база-эмиттер, который управляет исполнительным элементом в цепи компенсационной обмотки, например переходом транзистора коллектор — база.