Способ получения искусственных алмазов

Способ получения искусственных алмазов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (| ) ф)gpss?

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28.10.71 (21) 1708806/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 14.01.75 (51) М. Кл. С Olb 31/06

Гасударственный комитет

Совета 1йинистроа СССР по делам изооретениР и открытий (53) УДК 661.666.2 (088.8) В. М. Голянов и А. П. Демидов ..-.... *

1:: (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСКУССТВЕННЫХ АЛМАЗОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к способам получения искусственных алмазов из графита.

Известен способ получения алмазов из углеродсодержащего вещества на затравку в вакууме путем осаждения ионов в электрическом поле со скоростью, обеспечивающей при соударении давление не менее 6 104 кг/см .

Однако при этом способе необходимо затравочный кристалл и невозможно получение покрытий из искусственного алмаза на других веществах.

Для упрощения процесса и получения покрытий из искусственного алмаза предлагается использовать катодное распыление графита в магнитном поле при низком давлении инертного газа — криптона 10 — — 10 — 4 тор и низкой температуре (меньше 100 К) с осаждением нейтральных атомов углерода на любую твердую охлаждаемую подложку из нескольких источников распыления.

Пример. Для получения покрытия, пленки из искусственного алмаза на меди берут подложку из листовой меди размером 10)(+18 мм и толщиной 0,5 мм. В качестве материала катодов используют чистый графит и подвергают его катодному распылению при следующих условиях: давление инертного газа-крептона 10- тор; парциальное давление водорода меньше 2 10 †тор; парциальныс давления азота, кислорода и паров воды меньше 10 —" тор; напряжение между анодом и катодом 4 кв; ток разряда 4 ма; напряженность магнитного поля 700 эрст; температура стенок реакторной камеры около 78 К (температура жидкого азота); количество катодов

2 шт. При указанных условиях на меди образуется покрытие, пленка из искусственного алмаза со скоростью 5 а/мин.

Предлагаемый способ обеспечивает полу1р чение покрытий из искусственного алмаза типа «карбонадо» практически на любой твердой подложке. Возможно изготовление многослойных покрытий типа «сэндвич», а также свободных пленок. Способ может найти при15 менение в микрорадиоэлектронике, сверхпроводящей технике, технике защиты металлов от агрессивной среды, ювелирной промышленности, электронной микроскопии.

1. Способ получения искусственных алмазов из графита в вакууме с использованием

25 электрического поля, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и получения покрытий из искусственного алмаза, процесс ведут с использованием катодного распыления графита в магнитном поле прн давлении

30 инертного газа 10 — — 10 — тор с осаждением

4И 037

Составитель Н. Семенова

Техред 3, Тараненко

Редактор Н. Корченко

Корректор Н. Аук

Заказ 3656/3 Изд, М 144 Тираж 537 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 нейтральных атомов углерода на охлаждаемую твердую подложку по крайней мере из двух источников распыления.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества алмазного покрытия, например увеличения его удельного электросопротивления, процесс ведут в охлаждаемой реакторной камере при температуре подложки ниже 100 К, 3. Способ по п. 1, отлич ающийся тем, что в качестве нейтральной и инертной среды используют криптон.