Патент ссср 413116

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

! пйтбнт по-. . :; i: ; .- ",,рфС Ёие

4l3II6

ОПИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

fees (. оветских

Социалистических.Республик

К АВТОРСКОМУ СВйДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 03b 18/00

Заявлено 14.Ill.1972 (№ 1759068/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 30.1.1974. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 1 VII.1974

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий

УДК 666.1.053.562(088.8) Авторы изобретения

В. Е. Трунаев, A. Г. Минаков, Б. Ф. Кислицын, 3. П. Береговая и И. И. Гуревич

Константиновский ордена Трудового Красного Знамени завод «Автостекло»

Заявитель

РАСПЛАВ-ПОДЛОЖКА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИ>1 СТЕКЛА

Состав расплава, вес. 00

Температура плавления, С

Олово Висмут

97

3

155

Предмет изобретения

Изобретение относится к стекольной промышленности и может быть использовано при изготовлении стекла по методу флоат-процесса.

Известен расплав-подло>кка для изготовления стекла, включающий олово.

С целью улучшения качества стекла предлагаемый расплав-подложка дополнительно содержит висмут при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Олово 50 — 97

Висмут 3 — 40

При использовании расплава указанного состава в качестве подложки для стекла предотвращается взаимодействие стекла с расплавом.

Предло>кенный расплав находится в жидком состоянии во всем температурном интервале технологического процесса получения, например, листового полированного стекла и позволяет как формовать на его поверхности, так и транспортировать по нему лепту стекла. Полученное стекло обладает высокими качествами и не требует никакой механической обработки.

В таблице приведены возможные варианты предлагаемого расплава-подложки.

Между стеклом и приведенными составами

15 расплавов отсутствует взаимодействие.

Расплав-подложка для изготовления стекла, 20 включающий олово, отл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью улучшения качества стекла, он дополнительно содержит висмут при следующем соотношении компонентов, вес, Олово 50 — 97

25 В,исмут 3 — 50