Патент ссср 414762

Патент ссср 414762

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

6 ее о,, о ., ае TC:1 T„, ™ " хи ...з с, .

П ИСАЙ ИЕ

4l4762

Союз Советских :Социалистимеских

Республик

ЗОБРЕТЕН ИЯ

АВТОРСКОМУ СВИЯЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М, Кл. Н 05k 3/26

Заявлено 01.1Х.1972 (№ 1824034/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 05.11.1974. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 18Х11.1974.

Государственный комитет

Соавта й1инистров СССР по делам нэооретеннй н открытий

УДК 667.826 (088.8) Авторы изобретения В. А. Дьяконов, Л. H. Куликов, А. Е. Богатырев, Е. И. Бобкова и

А. П. Карташова

Заявитель

СПОСОБ ОЧИСТКИ

Предмет изобрcтення

Изобретение относится к технологии производства деталей радиоэлектронной аппарату- ры.

Известен способ очистки поверхностей прецизионных деталей радиоэлектронной аппаратуры от технологических фоторезистивных покрытий обработкой их в нагретых органических растворителях.

Однако известный способ не обеспечивает таких технологических покрытий, как заполимеризированные пленки фоторезистов, некоторых лаков и эмалей.

Цель изобретения — сохра1:ение высо:;ого класса чистоты обрабатывасмы.I 103ерх1гостей.

Предлагаемый способ отличается тс I что в качестве растворителя используют расплавленный дифениламин.

Суть способа состоит в следующем: очищаемую деталь с пленкой заполимеризированного фоторезиста погружают в горячий расплав высокоплавкого растворителя, нагретого до температуры не менее 200; для улучшения очистки растворитель расплавляют в ряде вани, через которые перемещается деталь. После обработки в расплавленном растворителе остатки загрязнений смывают в трихлорэтилене при небольшом подогреве.

Такой процесс позволяет устранить как пленку, так и следы загрязнений на поверхности деталей.

Ниже приведены структурная формула дифениламнна и его температурные характеристики.

10 Т пл.=54 С

Т кпп.=302 С

Описа шый способ, позволяя уда IIIII технологические слои и загрязнения, обеспечивает сохранение высокого класса чистоты полированных поверхностей. Он дает возможность упростить технологический процесс очистки интегральIII Iz схем, полупроводниковых приборов и механизировать удаление пленок фоторезисторов.

Способ очистки поверхностей прецизионных деталей радиоэлектронной аппаратуры от технологиче".êè.; фоторезистивных покрытии обработкой пх в нагретых органических растворителях, отлича1ои1ийся тем, что, с целью сохранения высокого класса чистоты обрабатываемых поверхностей, в качестве растворителя

30 используют расплавленный дифенпламин.