Патент ссср 416329
Патент 416329
Классы МПК
Патент ссср 416329
Иллюстрации
Реферат
гнои)вн,.
"®ГЕИтНО-т
-т х!!нче
G jj1 N C A H R R
416329 (о1ов Советских
Социалистических
Республик
ИЗСБРЕТЕ Н ИЯ
Е ABTGtj СКОМУ CBHQE ji EBbCTBV
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 24.XII.1971 (№ 1728406 26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25.11.1974. Бюллетень Х 7
Дата опубликования описания 05.07.1974
М, Кл. С 04Ь 35/00
С 23с 13/04
Государственно!й комитет
Совета Министров СССР ао делам изооретений и открытий
УДК 621.315.612 (ОЯЯ.Я) Авторы изобретения
Г. А. Куров, H. A. Астахова и 3. А, Жильков
Московский инсти1ут электронной техники
Заявитель
КЕ!)АМЯ!1Е1.КГ!! 4 МАТЕ1 1тАА
80 — 90
10 — 20
Ba TiO„.— Bi.,Т1зО!о
GeCO>
80 — 90
10 — 20
В а Т10з — В1зТ 1 з О беСО, Изобретение o «octITc:l и керамн ес1;и;i;it;iтериалам для получения пленок с Высокой диэлектрической проницаемостью и может быть использовано при изготовлении конденсаторов с высокой удельной ек!Кост1.1о методом вакуумного испарения.
Известен керамический материал на основс
ВаТ!Оз — — В1з fi>OI> преимущес1венно для получения диэлектрических пленок с высокой диэлек1ри 1еской проницаемост1н.
Однако при получении из этого матсриала диэлектрических пленок в вакууме необходима высокая температура начала кристаллизации полученной пленки прн ее отжиге на воздухе (500 †C С). Эти температуры трудно совместимы с технологией изго1ов.!ения пленочшлх конденса оров в гибридных интегральных схемах.
11ел1. изобретения — повышение температуPtt НаЧаЛа КРНСта.члиэа«ПИ ПЛЕНОК ПРИ ИХ Отжиге на Воздухе.
Поставленная пель достигается тем, что в известный керамичес1;ий материал введен беСО,; при следу1ощем коли !ественно)! СОО1НОН1Е«111! EiCХ<) IllÛÕ;КОМПОНЕНТОВ, (ВЕС. /!) ):
j jot.j)t*)Ipi", бpj)) i „срамику ВаТ!Оз — В!зТ1зО! у (85 Вес. „;), изме)!«чаю! ес, тщательно персмешнt«lloT с добавлепныM порошком беСО, (15 Вес. о/ ) и засыпают в внбробункср в ваку у м ной установке. ! (нэлекiри !ескне пленки, полученные методом днскреt ttot0 нспарешгя в вакууме на ос«ОВе кс))аз!ическОГО материала предлаГаемОГО
ii )IClO i i с. tt 1«..j):t !уj)It,It ttitала kj)ИCTВЛ.TEIlO tattEt» прн нх !)!)инге на воздухе 300 — 400 C.
Э l н те i!lip))а1у!)11 !. Овк!Сстик!ы с тсхнолОГЕгеи ! зготов lciitlli и 1ciloчных конденсаторов гибридныхх ни е! р альп ь1 х схех!.
Предмет изобретения
Керамн tpcIEttji материал на основе ВВТ10з—
В!з) 1,О!., «РснмУЩестве!шо Длн полУчсннЯ Днэлек Г1)н 1сскitv 1 iciioi; с ВысОкОЙ диэлек t pEI te20 ской п))оннцаск!Осlhlo, 0 т л EI ч а ю н1 и ll с:1 тем, что, с целью пони)кенни температуры li;lчала кристаллиз lttiill пленок прн нх отжнгс на воздухе, В него Введен беСОз при следующем количестве !Воя соотношении исходных компо25 1ентов (веc. )