Патент ссср 416768

Патент ссср 416768

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

>5(= í I 1" > .. к.л ; м

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ со 03 Советск",к

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 10Х.1971 (№ 1651817/24-7) с присоединением заявки ¹

Приоритет :.>нубликовано 25.ll.1974. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 11Л 11.1974

М. Кл. Н 01с 7/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий

Ъ .1 ь, 62!.316.89(088,8) Авторы изобрстеппя

С. В. Свечников и A. К. Смовж

Институт полупроводников AH Украинской ССР

Заявитель

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ФОТОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к области электротехники, в частности, к конструированию функциональных фоторезисторов.

Известен функциональный фоторезистор, BbIполнспный в виде нанесенного на подложку 5 слоя фотопроводящего материала, на котором располо>ксны два электрода, расстояние ме>кду которгими меняется Ilo заранее заданному закону, и содсржащий световой зонд.

Однако вылпчина выходного напряжения та- 10 кого функционального фоторезистора зависит от интенсивности освещения в зондовой област и, ее ширины, нестабильности фототока и температуры.

Целью изобретения является стабилизация 15 выходного напряжения, расширение динамического и температурного диапазонов функционального фоторезистор а.

Достигается это тем, что он снабжен третьим электродом, расположенным параллельно 20 одному из указанных электродов, а заключенпый между ними слой фотопроводящего материала служит выходным сопротивлением нагрузки.

На чертеже изображен функциональный фо-" 25 тор ези стор, общий вид.

Функциональный фоторезистор состоит из слоя фотопроводящего материала 1, например

CdS или CdSe, расположенного на диэлектри«ecxoII подло>кке 2. На слое фотопроводящего материала 1 расположены низкоомные электроды 3, 4 и 5, причем электрод 5 параллелен электроду 4, Расстояние между электродами 3

4 переменно и определяется в соответствии с заданным законом изменения выходного напряжения. Расстояние между электродами 4 и 5 определяется требуемой величиной тока нагрузки.

Управление функциональным фоторезистором осуществляется с помощью светового зонда б, который при движении вдоль прибора перекрывает все три электрода (направление движения светового зонда указано стрелкой).

Ток от источника внешнего напряжения U< протекает через электрод 3, освещенную область светового зонда б и создает падение напряжения U2 на сопротивлении нагрузки, которым является освещенный участок фотослоя, заключенный между электродами 4 .и 5, являющееся выходным напряжением, величина которого зависит от положения светового зонда. Таким образом, в <рункциональном фоторезисторе отпадает необходимость в подключении дополнительного сопротивления нагрузки.

Необходимым условием осуществления тр . буемого закона изменения выходного напряжения функционального фоторезистора является соблюдение равенства " = const, Rô

К, С()(тави «в А. Лрткииив! едшсгор Т. Загребельная

Техре,i, Г. Борисова

Корректор Л. Орлова

1 4Т5 1Р Изд. № 5!7 Тирани i бо Под шсIlcic

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров ССС! по делам изобретений и открытий

Москва, Я-55, Раушская наб., д. 4/5

Тиногра()>ия, ир. С им нова, 2 где Лф — сопротивление на квадрат освещенного участка фотослоя; !

Гв — сопротивление нагрузки.

Предмет изобретении

Функциональный фоторезистор, выполненt.û« . в виде нанесенного па подложку слоя фотопроводящего материала, на котором расположены два электрода, расстояние межд,. которыми меняется по заранее заданному закону, и содержащий световой зонд, о т л и ч аю щи и ся тем, что, с целью стабилизации вы5 ходного напряжения, расширения температурного и динамического диапазонов, он снабжен третьим электродом, расположенным иарал лелbnо одному из упомянутых электродов, заключенный между ними слой фотопроводи10 щего материала служит выходным сопротив,пением нагрузки.