Патент ссср 416879

Патент ссср 416879

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ватентно.— х)1ическвд биб ир

Ф

СПИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Со)оз Советских

Социалистических

Рест)ублик

Л(((5и(нм )(<гт акт. (. (!((д(! с.!(! ст!3, !.Ч. Кл. 11 i), ))(1!)/2() Заявлено 10.11.1!)72 (¹ 17177%!20-!)) с присосдгп(ен нем за я вк ¹

Приоритет

Государственно)й комитет

Совета Ин! нстров СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 25.11.1974. 1з(о,(лстсн(> ЛЬ 7 ,)IdTH онублпковани,! оц)гсанпя 26Л 1,1 .)74

i Д К 621,382 (088.8) Авторы изобретения тО. Е. Наумов и И. Ф. Пучков

Заявитель

Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе

ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА

U,, =- 2U„-+ Уат — U„, 20 вк — кэ„- + -76, + - кэ. °

Изобретение относится к цифровой технике.

Известны логические схемы, содержащие на входе элемент «И», выполненный на многоэмиттерном транзисторе, и сложный инвертор на выходе, в которых для повышения помехоустойчивости введены обратные связи, способствующие получению гистерезиса на передаточ ной х ар актер исти ке.

Однако известные логические схемы дают выигрыш в помехоустойчивости лини ((0 0(ношени)о к запирающей помехе.

1 ель)о изобретения является повышение помехоустойчивости по отношению к запирающей и отпирающей помехам одновременно.

Для этого в устройство введен дополнительный инвертор, состоящий из двух транзисторов разного типа проводимости, коллекторы которых взаимно соединены с базами, причем вход дополнительного инвертора присоединен к выходу элемента «И», а выход — ко входу сложного инвертора.

Изобретение пояснено чертежом.

Логическая схема содержит элемент «И» 1, вьшолпенный на многоэмиттерном транзисторе 2 и резисторе 3, сложный инвертор 4 и дополнительный инвертор 5. Инвертор 5 состоит из транзисторов 6 и 7 разного типа проводимости, коллекторы которых взаимно соединены с базами.

Схема работает следующим образом.

Когда хотя бы на один из входов схемы подан низкий уровень напряжения (логический

«0») то транзистор 2 находится в насыщении

5 и потенциал его коллектора выше потенциала эм)птера на величину напряжения насыщения транзистора. В этом режиме транзисторы 7 и 6 заперты, а потенциал коллектора транзистора 6 определяется входным напряжением

10 открьпого ипвертора 4, в данном случае величиной 2();„где U ;, — — напряжение на эмиттерном переходе открытого транзистора. Прн этом эапптерньш переход транзистора 7 смещен в обратном направлении. Для переклю15 чения схемы необходимо открыть эмнттерный переход этого транзистора. Переключение произойдет при напряжении на выходе

В выключенно состоянии транзисторы 6 и

7 насыщены и потенциал базы транзистора 7 определяется (ипряженпем насыщения транзистора 6 (U „,,o). Для включения схемы не25 обходимо закрьпь эмиттерньш переход транзистора 7. Это произойдет при напряжении на входе

416879

Предмет изобретения

Состави гель А. Дедюкии

Редактор А. Зиньковский Тех рея Г. Васильева Корректор А. Дзесова

Заказ 1465)10 Изд ¹ 502 Гирагк 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, уК-35, Раушская наб., д. 4/5

Чипограф я, ир. Сапунова, 2

Логическая схема, содержащая на входе элемент «И», выполненный на многоэмиттерпом транзисторе, и сло>кный инвертор а выходе, отличающаяся тем, что, с целью

B ) стройстBo! !

1 ! в

1 ! (введен дополнительный инвертор, состоящий из двух транзисторов разного типа проводимости, коллекторы которых взаимно соединены с базами, причем вход дополнительного инвертора присоединен к выходу элемента

«И», а выход — ко входу слиянного ннвертора.